【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC

时间： 2022-11-04 来源：美浦森

技术问答

美浦森推出的SLP8N60C/SLF8N60C是两款漏源电压高达600V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maple semi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。器件非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

产品绝对最大额定参数（T_C=25℃除非另有说明）方面，器件漏源电压高达600V；持续漏极电流高达7.5A@T_C=25℃，脉冲漏极电流高达30A（其中SLF8N60C受限于最大结温）；栅源电压为±30V；工作结温与存储温度范围宽至-55℃~+150℃，最高焊接温度支持300℃（距离外壳1/8"，持续5s）。对于SLP8N60C/SLF8N60C两款器件，结至外壳热阻值分别为0.6℃/W和3.1℃/W，结至环境热阻值均为62.5℃/W。器件封装和电路图如下所示：

产品特性：

T_C=25℃时，漏源电压600V，持续漏极电流7.5A
典型值R_DS(on)=1.0Ω@V_GS=10V
低栅极电荷（典型值29nC）
高鲁棒性
快速开关特性
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力

绝对最大额定值（T_C=25℃，除非另有说明）

Notes：

1. 重复额定值：脉宽受限于最大结温

2. L=7.3mH，I_AS=7.5A，V_DD=50V, R_G=25Ω，Starting T_J=25℃

3. I_SD≤7.5A，di/dt≤200A/μs，V_DD≤BV_DSS，Starting T_J=25℃

热阻特性

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