【产品】185V/50mA、采用TO-39封装的硅NPN型晶体管BF178，工作和存储结温均为-65℃至+200℃
Central Semiconductor(美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，该公司推出的BF178硅NPN型晶体管，采用TO-39封装。晶体管密封包装，专为通用放大器应用而设计。
图1 产品外观图
该系列晶体管的参数如下表所示，集电极-发射极电压VCER为185V，发射极-基极电压VEBO为5.0V。连续集电极电流IC为50mA， 连续基极电流IB为10mA。功耗为1.7 W。工作和存储结温的范围均为 -65 °C 至 +200°C。可见，晶体管的温度范围较宽，最高可达200°C，因此可以适应不同的温度条件，尤其是严寒和高温等恶劣环境下的使用，具有非常高的可靠性和稳定性。
表1
该体管当VCE加大到最大电压185V时的漏电流ICES最大值为1.0mA。集电极- 基极击穿电压（BVCBO）在IC=1.0mA条件下，最小为185V。集电极- 发射极（电阻连接时）击穿电压（BVCER）在IC=1.0mA，RBE=1.0kΩ条件下，最小为185V，集电极- 发射极击穿电压（BVCEO）在IC=10mA条件下，最小为115V。发射极- 基极击穿电压（BVEBO）在IE=100μA条件下，最小为5V。基极-发射极导通压降VBE(ON)最大为1.2V。该晶体管具有漏电流小，导通压降低，反向击穿电压高，耐压性能强的特点。
该晶体管的特征频率典型值fT 为 120MHz（VCE=10V, IC=10mA）。晶体管的放大倍数hFE最小为20（VCE=20V, IC=30mA的条件下）。晶体管具有较好的频率特性和较高的放大倍数，适用于通用放大器的应用设计。
同时，晶体管拥有较小的尺寸（尺寸图如下），可帮设计人员节省设计空间，提高散热效率。
图2 产品尺寸图
硅NPN型晶体管具有如下特点：
·外延平面工艺，表面安装
·节省空间
·高能效
硅NPN型晶体管应用领域：
·通用放大器
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