【产品】采用先进的TrenchTM技术的N沟道先进功率MOSFET RU6035M3，具有卓越的FOM
国产功率半导体器件公司深圳市锐骏半导体推出一款N沟道先进功率MOSFET RU6035M3，该器件采用先进的TrenchTM技术设计制造，具有卓越的FOM(MOSFET优值系数，其值为QgxRDS(on)) ，是开关类应用系统、 锂电池保护单元、DC/DC转换器、同步整流器应用的理想器件。
图1.产品外观与封装
产品特性
l 60V/35A
RDS (ON) =18mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS (ON) =20mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
l 采用先进的TrenchTM技术设计
l 卓越的Qg x RDS(ON)产品特性（FOM）
l 可靠性高、坚固耐用
l 100%雪崩测试
l 无铅、绿色环保器件，符合RoHS
绝对最大额定值
电气特性（Tc=25℃，除非其他标注）
标注：
1. 脉冲宽度限制在安全运行范围。
2. 在最大允许结温条件下计算连续电流。
3. 安装在1英寸方形铜基板上测试，时间t≤10sec
4. 测试受限于最大结温，开始测试结温Tj=25℃，IAS =18A, VDD =48V, RG = 50Ω
5. 脉冲测试，宽度≤300µs，占空比小于≤2%
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由楠木II翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RUH3051M，漏-源导通电阻典型值可低至4.2mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-12-24
【产品】采用超高密度单元设计的N沟道先进功率MOSFETRU3560L，最大耗散功率可达50W
锐骏半导体推出一款N沟道先进功率MOSFET—RU3560L，该器件漏源电压绝对最大额定值为40V，连续漏极电流为50A（VGS=10V，TC=25℃）。该MOSFET器件采用超高密度单元设计，具有典型值为13mΩ（@VGS=10V，IDS=25A）的漏源导通电阻。
产品 发布时间 : 2022-03-11
【产品】最高工作温度175℃的N沟道功率MOSFET NCEAP60ND60G，漏源电压VDS为60V
NCEAP60ND60G是NCE推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用DFN5×6-8L封装，得益于RDS(ON) 和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-04-20
【产品】40V/125A的N沟道功率MOSFET NCEAP4090AGU，漏源导通电阻低，采用PDFN5X6-8L封装
NCEAP4090AGU是NCE推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用PDFN5X6-8L封装，得益于RDS(ON)和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-04-18
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
新产品 发布时间 : 2022-04-09
【产品】漏源电压最大额定值为40V的N沟道功率MOSFET NCEAP40T14AK，最高工作温度175℃
NCE推出一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET——NCEAP40T14AK，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用TO-252-2L封装，得益于RDS(ON) 和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-04-19
【产品】导通电阻3mΩ的N沟道先进功率MOSFET RU3070M3，具有卓越的FOM指标
锐骏半导体N沟道先进功率MOSFET RU3070M3，其采用先进的TrenchTM技术设计制造，具有卓越的FOM指标，是开关应用系统、服务器板载电压、DC/DC转换器的应用的理想器件。
产品 发布时间 : 2022-03-18
【产品】30V/6A N沟道先进功率MOSFET RU3400B, 导通电阻典型值26mΩ（Vgs=10V）
锐骏半导体推出采用SOT23封装的N沟道高级功率MOSFET RU3400B ，其漏源电压为30V，TA=25℃时连续漏极电流为6A（VGS=10V）。该器件采用超高密度单元设计，符合RoHS标准，可用于DC/DC转换器和电池开关等应用。
产品 发布时间 : 2022-05-10
【产品】采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEAP60T12AK，漏源电压最大额定值为60V
NCE推出一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET——NCEAP60T12AK，可以提供最高效的高频开关性能。漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为150A（TC=25℃）。器件采用TO-252-2L封装。
产品 发布时间 : 2023-03-29
【产品】60V/3A的N沟道增强型功率MOSFET RM2308，适用于电池开关和DC/DC转换器
丽正国际的RM2308是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，以提供优秀的的漏源导通电阻、低栅电荷和低至2.5V的栅极工作电压。漏源电压60V，漏极持续电流为3A，最大耗散功率为1.7W，采用SOT-23-3L封装，适用于DC/DC转换器等。
新产品 发布时间 : 2020-09-20
【产品】采用先进沟道技术工艺的N沟道功率MOSFET DI300N10TL，适用于电动工具等领域
Diotec推出N沟道功率MOSFET DI300N10TL，采用ITO-220封装。该器件采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业/工业应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-08-04
【产品】符合RoHS规范的N沟道功率MOSFET-RUH120N90M，漏-源导通电阻典型值可低至6.2mΩ
RUH120N90M是锐骏半导体推出的N通道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于反激变换器的同步整流应用场合、PD适配器、移动电源等领域。
产品 发布时间 : 2022-12-10
【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65，规格4A/650V，开关速度快且栅极电荷低
Diotec推出DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET，采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性，适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等。
新产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】采用TO-220AB外壳封装的N沟道功率MOSFET DIT110N08，漏源导通电阻典型值可低至3.9mΩ
Diotec推出型号为DIT110N08的N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-09-09
【产品】德欧泰克新推2.3A/650V N沟道功率MOSFET DIJ2A3N65，采用先进沟道技术工艺
Diotec推出型号DIJ2A3N65的N沟道功率MOSFET，采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性，适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业，工业应用等领域。
新产品 发布时间 : 2022-08-20
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论