【产品】采用先进的TrenchTM技术的N沟道先进功率MOSFET RU6035M3，具有卓越的FOM
国产功率半导体器件公司深圳市锐骏半导体推出一款N沟道先进功率MOSFET RU6035M3，该器件采用先进的TrenchTM技术设计制造，具有卓越的FOM(MOSFET优值系数，其值为QgxRDS(on)) ，是开关类应用系统、 锂电池保护单元、DC/DC转换器、同步整流器应用的理想器件。
图1.产品外观与封装
产品特性
l 60V/35A
RDS (ON) =18mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS (ON) =20mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
l 采用先进的TrenchTM技术设计
l 卓越的Qg x RDS(ON)产品特性（FOM）
l 可靠性高、坚固耐用
l 100%雪崩测试
l 无铅、绿色环保器件，符合RoHS
绝对最大额定值
电气特性（Tc=25℃，除非其他标注）
标注：
1. 脉冲宽度限制在安全运行范围。
2. 在最大允许结温条件下计算连续电流。
3. 安装在1英寸方形铜基板上测试，时间t≤10sec
4. 测试受限于最大结温，开始测试结温Tj=25℃，IAS =18A, VDD =48V, RG = 50Ω
5. 脉冲测试，宽度≤300µs，占空比小于≤2%
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