【产品】外延基板互补硅达林顿功率晶体管,专为高增益放大器和中速开关应用而设计

2018-12-03 Central
硅达林顿功率晶体管,互补硅达林顿功率晶体管,2N6294,2N6295 硅达林顿功率晶体管,互补硅达林顿功率晶体管,2N6294,2N6295 硅达林顿功率晶体管,互补硅达林顿功率晶体管,2N6294,2N6295 硅达林顿功率晶体管,互补硅达林顿功率晶体管,2N6294,2N6295

Central Semiconductor(中央半导体)的2N62942N62952N62962N6297系列器件是互补硅达林顿功率晶体管,采用外延基板工艺制造,专为高增益放大器和中速开关应用而设计。该系列晶体管采用了TO-66封装,此种形式的封装散热性能好,很适合像功率管这样发热较大的原件。工作温度范围为-65至+200℃,很宽的温度范围为原件提供了更好环境适应性。

图一:2N6294,2N6295,2N6296,2N6297系列互补硅达林顿功率晶体管产品外观图

 

2N6294,2N6295,2N6296,2N6297系列互补硅达林顿功率晶体管为功率晶体管,当VCE=额定 VCEO,VEB=1.5V时,ICEV为0.5mA,当VCE=额定VCEO,VEB=1.5V,TC=150°C时,ICEV为5.0mA,可见温度影响ICEV的大小,而且温度高电流大,因此在使用该功率晶体管时,一定要注意使用环境温度不可过高。当VCE=½额定VCEO 时,ICEO为0.5mA,当VEB=5.0V 时,IEBO为2.0mA。综上可知各极间电流较小,从而发热和功耗较小。当IC=2.0A, IB=8.0mA,VCE(SAT) 为2.0V;当IC=4.0A, IB=40mA 时,VCE(SAT)为3.0V;当IC=4.0A, IB=40mA时,VBE(SAT)4.0V;当VCE=3.0V, IC=2.0A时,VBE(ON)为2.8V。当VCB=10V,IE=0, f=100kHz (NPN型)时,Cob为120 pF,当VCB=10V,IE=0, f=100kHz (PNP型)时,Cob为200 pF。

 

表一:最大额定参数表

 

2N6294,2N6295,2N6296,2N6297系列互补硅达林顿功率晶体管特征

· 工作和存储温度范围:-65°C至+200°C

· 热阻:3.5°C/W

· 散热性能好

· 结构封装:TO-66

 

2N6294,2N6295,2N6296,2N6297系列互补硅达林顿功率晶体管应用

· 高增益放大器和中速开关


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品牌:Central Semiconductor

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晶体回路匹配测试

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

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波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

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