采用硅芯片材料的IDT RF产品,不降低 RF 性能的同时相比砷化镓器件实现更高的集成度

2020-04-11 IDT(Renesas收购)
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IDTRENESAS收购) 的 RF 产品在应对日益拥挤的无线电频谱产生的无用干扰方面拥有业界最佳的性能。如今,更高的数据速率要求设备达到更佳的无线电信噪比,这就需要采用 IDT 具有更高线性度的 RF 器件。IDT 独特的 RF 专利解决方案能实现功耗最低的绿色环保网络,并推动公司未来几年不断发展。所有 IDT RF 器件均采用硅芯片材料,与砷化镓 (GaAs) 器件相比具有明显优势。硅芯片能够在不降低 RF 性能的同时实现更高的集成度,从而有助于降低解决方案成本。硅芯片具有更高的湿度敏感性和抗静电放电性能,与需要外部匹配并可能遭受延迟的二次雪崩击穿的砷化镓器件相比,更可靠、更坚固耐用,从而可提升生产可靠性。 IDT 的硅芯片技术可满足各种应用不断发展的需求,其中包括蜂窝 4G 基站、通信系统、微波 (RF/IF)、CATV 测试测量和工业应用。IDT 的产品通过在小型紧凑的封装内将 IDT 技术与独特的技术创新完美结合在一起,能提供出众超凡的 RF 性能。



产品类别 

数字步进衰减器 (DSA

可变电压衰减器 (VVA

RF 开关 

单 / 双通道宽带混频器 

单 / 双可变增益放大器 (VGA

放大器

宽带调制器 

带集成 DSA、RF 开关和 LO 开关的 解调器


特性

高度差异化的 RF 产品 

独特的技术创新

 - 提供无与伦比的 RF 性能 

硅半导体技术能实现

- 高度的可靠性与稳定的可制造性 

- 更低的总体解决方案成本 

RF 解决方案 

- 实现更低功耗的绿色网络

- 可跨越各种平台实现扩展

- 提高数据吞吐量


应用

无线基础设施

· 基站收发台 

· 分布式天线系统与中继器 

· 微波 (RF/IF)


测试与测量

· 智能手机通信测试器 

· 信号发生器与频谱分析仪 

· 自动测试设备 (ATE)


工业 

· 军用 / 战术通信系统 

· 雷达 

· 汽车


宽带 CATV 

· 头端 (CMTS)、边缘 QAM 

· 分布节点 

· E/GPON、FTTH 光网络 

· 光纤中继器 

· 线缆调制解调器、机顶盒、DVR/PVR 

· DOCSIS 3.1 

· 卫星接收器与调制解调器


IDT RF数字步进衰减器RF可变增益放大器

IDT 器件几乎消除了标 准 DSA 在 MSB 衰减状态转换过程中发生的 瞬时过冲。因此,避免了损坏放大器以及 ADC 采样数据信号丢失。



在增益下降时,噪声系数在临界区域几 乎保持平坦。通过增强 SNR,可显著降低射频工程师的设计约束。


IDT RF混频器IF可变增益放大器

IDT 器件可降低本底噪声和 IM3 互调失真,从而改善 SNR,如下列黄线所示。这对于拥挤的频谱 环境来说十分关键,因为这样可 加强服务质量并释放未利用的 频谱。


KLIN 恒定线性度

调整增益时,KLIN 会保 持恒定的高线性度。 随着增益降低,线性 度 (OIP3) 会在关键域内 保持恒定不变。这可 防止随着增益降低而 影响互调失真。


K|Z| 恒定阻抗

在 RF 端口间切换时 K|Z| 保持近乎恒定阻抗,维持较高的 RF 端口回损。没有 K|Z| 的标准 RF 开关在切换 RF 路径时,由于切换事件过程中 RF 开关的阻抗没有得到良好控制,会造成较大的电压驻波比 (VSWR) 瞬态。通过控制切换过程中的阻抗,可以最大程度地降低 VSWR 瞬态,进而提升 RF 开关可靠性,降低下游组件承受的电压应力,改善系统总体性能。

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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

2021/06/06  - ADI  - 选型指南

Renesas(瑞萨)射频产品选型指南

目录- Company Profile    RF Amplifiers    Variable Gain Amplifiers    RF Attenuators & Integrated TRx ICS    RF Switches / Mixers    Modulators / Demodulators    RF PLLs and Synchronizers    Beamforming ICs and LNAs   

型号- F2914,F1429MB,F2915,F0452B,F0452C,F1385,F1420,F1421,F1423,F1701,F2912,F2913,F2910,F1427,F2911,F1431B,F1490,F4482,F1130,F0562,F0440,F1375,F0443,F1653,RC38612,F0448,F4481,F5288,F1240,F2970,F2971,F159V,F1763,F1129MB,F0552,F2972,F5728,F2976,F2977,F5280,F0453B,F0453C,F6123,F1471,F1350,F6121,F6522,F6521,F6923,F1751,F6922,F1358,F6921,F0424,F1912,F0472B,F6513,8V19N882,8V19N880,F5268,F1100,F1102,F2950,F1107,F1106,F1192B,8V97003,F2270,F1180,F0480,F1451,F1178,F1129LB,F1455,F1456,F1975,F1978,F1977,F2250,F6212,F2251,F1162,F0110,F1200,F0111,F2255,F1320,F2258,F2934,F2932,F2933,F0109,F1429LB,F1958,F1150,F2480,F1152,F1792,8V19N850,F1950,F1951,F0502,F2923,F1953,F1956

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射频和微波开关

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2021/2/9  - I-PEX  - 数据手册  - Rev.11 查看更多版本

F2270 75Ω电压可变衰减器5MHz至3000MHz

描述- F2270是一款75Ω低插入损耗电压可变RF衰减器,适用于多种无线和其他RF应用。该设备覆盖5MHz至3000MHz的广泛频率范围,提供低插入损耗和优异的线性性能。F2270使用3.3V或5V的正电源电压,具有VMODE引脚,允许正或负电压控制斜率与衰减,以及双向RF端口。

型号- F2270NLGK8,F2270NLGK,F2270,F2270EVBI

January 16, 2019  - RENESAS  - 数据手册
2017/12/30  - BEL FUSE  - 数据手册

IDTF2258NLGK 50至6000 MHz电压可变RF衰减器

型号- IDTF2258NLGK,F2258,F2258NLGK,IDTF2258NLGK8

01/20/2017  - RENESAS  - 数据手册  - Rev 1
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