【应用】国产P-MOS应用于车载激光雷达电源管理端，最大导通电阻110mΩ可有效降低开关损耗
YJQ15GP10A是扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管，采用分栅沟槽MOSFET技术，已100%通过UIS（非钳位感性负载开关过程）和▽VDS测试，具有低RDS（ON）、良好散热封装等优势，非常适用于DC-DC转换器和电源管理功能等相关应用。
恰逢笔者有一客户，需求一款P-MOS，应用于车载激光雷达的电源管理端，要求VDS=-100V，ID=-15A，体积要小，可以在汽车雷达电源端安装使用。于是给客户推荐了扬杰科技的这款YJQ15GP10A。
下表是YJQ15GP10A的部分规格参数：
YJQ15GP10A实物图及引脚结构：
综上：
1. YJQ15GP10A的VDS=-100V，ID=-15A，符合客户的参数要求，可以考虑进一步评估；
2. DFN3333的封装，具有较小的体积，且具有良好的散热性能，可以安装在汽车雷达的电源管理端工作；
3. 工作温度在﹣55～+150℃，具有极强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境，可以满足于汽车方面的应用要求；
4. 最大导通电阻为110mΩ，较低的导通电阻可有效降低开关损耗。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
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|
2N7002
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MOSFET
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SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
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150
|
1.5
|
1200
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2500
|
1300
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3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
YJG055P10A P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJG055P10A型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用沟槽功率MOSFET技术，具有低导通电阻、极低的开关损耗和高密度单元设计等特点。
型号- YJG055P10A
YJL3401AL P沟道增强型场效应晶体管
描述- 该资料详细介绍了YJL3401AL型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、典型性能曲线和封装信息。该产品采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高速开关等特点，适用于电池保护、电源管理和负载开关等应用。
型号- YJL3401AL
YJG50P04AJQ P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJG50P04AJQ型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件具有高密度设计以实现低导通电阻，适用于电源开关应用。
型号- YJG50P04AJQ
YJD50GP06A P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJD50GP06A型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、极低的开关损耗和良好的稳定性和均匀性。
型号- YJD50GP06A
YJS2305A P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJS2305A型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该产品采用 trench power LV MOSFET技术，具备高功率和电流处理能力，低栅极电荷，适用于电池保护、电源管理和负载开关等应用。
型号- YJS2305A
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YJS06GP06A P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJS06GP06A型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高密度单元设计等特点，适用于负载开关和电池保护等应用。
型号- YJS06GP06A
YJD50P04AJ P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJD50P04AJ型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、参数、电气特性、热特性、封装信息等。该产品具有低导通电阻、低开关损耗、良好的稳定性和均匀性，适用于电源管理和便携式设备等领域。
型号- YJD50P04AJ
YJQ110GP10AQ P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJQ110GP10AQ P-Channel增强型场效应晶体管的产品特性、电气特性、热特性以及封装信息。该产品适用于电源开关应用、LED照明和DC-DC转换器等领域，具有低RDS(ON)、高电流承载能力和良好的热散性。
型号- YJQ110GP10AQ
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型号- BSS84Q
YJG50P04AJ P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料详细介绍了YJG50P04AJ型P沟道增强型场效应晶体管的产品特性、参数、电气特性、热特性以及封装信息。该产品适用于电源开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热性能。
型号- YJG50P04AJ
YJM05GP06A P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJM05GP06A型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、技术规格和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于电源管理和负载切换等领域。
型号- YJM05GP06A
YJQ15GP10AQ P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJQ15GP10AQ型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元格设计以实现低导通电阻，适用于电源开关应用。
型号- YJQ15GP10AQ
电子商城
品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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