【应用】国产P-MOS应用于车载激光雷达电源管理端,最大导通电阻110mΩ可有效降低开关损耗
YJQ15GP10A是扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管,采用分栅沟槽MOSFET技术,已100%通过UIS(非钳位感性负载开关过程)和▽VDS测试,具有低RDS(ON)、良好散热封装等优势,非常适用于DC-DC转换器和电源管理功能等相关应用。
恰逢笔者有一客户,需求一款P-MOS,应用于车载激光雷达的电源管理端,要求VDS=-100V,ID=-15A,体积要小,可以在汽车雷达电源端安装使用。于是给客户推荐了扬杰科技的这款YJQ15GP10A。
下表是YJQ15GP10A的部分规格参数:
YJQ15GP10A实物图及引脚结构:
综上:
1. YJQ15GP10A的VDS=-100V,ID=-15A,符合客户的参数要求,可以考虑进一步评估;
2. DFN3333的封装,具有较小的体积,且具有良好的散热性能,可以安装在汽车雷达的电源管理端工作;
3. 工作温度在﹣55~+150℃,具有极强的环境适应性,可很好适应较宽温度范围的环境,可以满足于汽车方面的应用要求;
4. 最大导通电阻为110mΩ,较低的导通电阻可有效降低开关损耗。
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品牌:扬杰科技
品类:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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