【应用】国产P-MOS应用于车载激光雷达电源管理端，最大导通电阻110mΩ可有效降低开关损耗
YJQ15GP10A是扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管，采用分栅沟槽MOSFET技术，已100%通过UIS（非钳位感性负载开关过程）和▽VDS测试，具有低RDS（ON）、良好散热封装等优势，非常适用于DC-DC转换器和电源管理功能等相关应用。
恰逢笔者有一客户，需求一款P-MOS，应用于车载激光雷达的电源管理端，要求VDS=-100V，ID=-15A，体积要小，可以在汽车雷达电源端安装使用。于是给客户推荐了扬杰科技的这款YJQ15GP10A。
下表是YJQ15GP10A的部分规格参数：
YJQ15GP10A实物图及引脚结构：
综上：
1. YJQ15GP10A的VDS=-100V，ID=-15A，符合客户的参数要求，可以考虑进一步评估；
2. DFN3333的封装，具有较小的体积，且具有良好的散热性能，可以安装在汽车雷达的电源管理端工作；
3. 工作温度在﹣55～+150℃，具有极强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境，可以满足于汽车方面的应用要求；
4. 最大导通电阻为110mΩ，较低的导通电阻可有效降低开关损耗。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
【选型】扬杰科技P-MOS YJL2301C可兼容ON的NTR4101P，无需改版设计即可更换，缩短研发设计周期
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电子商城
品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
现货市场
服务
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实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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