是德科技解析为什么半导体材料采用硅而不是别的材料并提供多种功率器件分析仪用于带宽测试

现在集成电路制造所利用的半导体材料多数是硅，为什么采用硅而不是别的材料呢？现今通常把例如锗(Ge)、硅(Si)等一类导体称为半导体。这类导体的电阻率介乎金属与绝缘体之间，且随温度的升高而迅速减小。这类材料中存在一定量的自由电子和空穴，后者可看作带有正电荷的载流子。与金属或电解液的情况不同，半导体中杂质的含量以及外界条件的改变（如光照,或温度、压强的改变等）,都会使它的导电性能发生显著变化。由于这些特点，半导体在实际中有着非常广泛的应用。固体物质所以能够区分为导体、半导体或绝缘体，可以从能带理论得到解释（见固体的能带）。

第一代、第二代以及第三代半导体材料

第一代元素半导体，主要包括以硅（Si）、锗（Ge）为代表的单质半导体，其中锗最先被研究且应用，但由于其造价较高，稳定性较差，主要应用于部分发光二极管、太阳能电池中。硅基材料是目前主流逻辑芯片和功率器件的基础，以硅基半导体材料开创了功率半导体元器件MOSFET和IGBT等为代表的固态电子时代，也是目前电力电子领域应用最为广泛的半导体材料。

第二代化合物半导体，主要指二元/三元化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），其主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件，应用领域主要包括卫星通信、移动通信、光通信、GPS导航等。

第三代宽禁带半导体，主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等，优点是禁带宽度大（>2.2ev）、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高，可用于于高温、高频、抗辐射及大功率器件，也是目前国家大力发展的新型半导体器件。

碳化硅（SiC）的特点

金刚砂又名碳化硅（Silicon Carbide - SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

碳化硅 (SiC) 由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，特別是近年来，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。

宽禁带（WBG）碳化硅 (SiC) 相对于 Si 的优势

工作温度高

热传导率：3X of Si
禁带宽度：3X of Si
更高的击穿电场：10X higher
更低的传导损耗：1000X lower Rds-on

碳化硅功率器件

以碳化硅功率器件相比硅基功率器件具有优越的电气性能，具体如下：

耐高压 - 碳化硅的击穿电场强度是硅的10余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。

耐高温 - 碳化硅相较硅拥有更高的热导率使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以带来功率密度的显著提升，同时降低对散热系统的要求，使终端可以更加轻量和小型化。

低能量损粍 - 碳化硅具有2倍于硅的饱和电子漂移速率，使得碳化硅器件具有极低的导通电阻，因而导通损耗低。碳化硅具有3倍于硅的荟带宽度，使得碳化硅器件泄漏电流比硅器件大幅诚少，从而降低功率损耗。碳化硅器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，从而大幅提高实际应用的开关频率。

正是由于碳化硅功率器件具备的上述优越性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率 高压高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，从而成为半导体材料领域最具前景的材料之一，近年来碳化硅晶片作为村底材料的应用逐步成熟并进入产业化阶段。

宽禁带半导体器件与传统的硅半导体器件的比较

宽禁带半导体是对硅材料的有益补充。以（SiC）、（GaN）为代表的宽禁带（第三代）半导体凭借优异的物理特性，天然适合制作高压、高频、高功率的半导体器件。

正如我们前面介紹的，第三代半导体是指使用新的材料和器件结构制造的半导体器件，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。相较于传统的硅同类材料，WBG宽禁带半导体使得器件能够在更高的温度、电压和频率下工作，因此这些材料制成的电力电子模块比使用传统半导体材料制成的模块更加稳定和节能。

鉴于第三代半导体因其优异的性能，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域拥有广泛的应用前景。第三代半导体材料具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，正在成为全球半导体产业新的战略高地。

宽禁带半导体（Wide Bandgap Semiconductor, WBG）的优势包括：
1. 更高的工作温度：具有更高的材料熔点和更高的热稳定性，可以在高温环境下工作。
2. 更高的能效：具有更大的能隙，因此更容易实现高功率密度和高转换效率。
3. 更快的响应速度：能够承受更高的电场强度，具有更高的电子迁移率和更快的电子速度。
4. 更小的尺寸：可以制成更小的器件，从而减少电路板大小，提高器件集成度。
5. 更长的使用寿命：使用寿命比传统半导体更长，更好地承受高压高温环境中的电压和电流变化。

宽禁带半导体（WBG）作为一项革命性的材料，能够提供更高的速度、更高的电压和更高的热操作能力，从而提高效率，减少尺寸和成本。然而，这也带来了新的挑战，半导体制造商和工程师在表征宽禁带半导体遇到了一些困难。对于传统硅基的大功率半导体应用，通过测试静态参数是可以评估芯片和器件性能，因为它们的开关速率较慢。然而，对于宽禁带半导体，测试静态和动态参数都是重要的。宽禁带半导体的更高开关速率会在开关瞬态过程中会造成损失。

JEDEC是全球领先的微电子行业标准化组织，它将WBG宽禁带半导体的动态测试定义为GaN JC-70.1和SiC JC-70.2。随着JEDEC标准的发展，测试WBG半导体已经成为一项复杂的任务，更多的测试涌现出来。 第三代半导体需要对应不同的测试需求，不仅要测量击穿电压、工作电流、导通电阻、IV、CV曲线等静态参数，还需要对开关时间、损耗能量、动态导通电阻等参数进行完全表征。因此，WBG器件制造商和测试机构需要一种全面的解决方案，可以重复、可靠、安全地测试动态参数。第三代半导体材料之碳化硅SiC的特点

宽禁带半导体是对硅材料的有益补充。以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带（第三代）半导体凭借优异的物理特性，天然适合制作高压、高频、高功率的半导体器件。第三代半导体是指使用新的材料和器件结构制造的半导体器件，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。相较于传统的硅同类材料，WBG宽禁带半导体使得器件能够在更高的温度、电压和频率下工作，因此这些材料制成的电力电子模块比使用传统半导体材料制成的模块更加稳定和节能。

鉴于第三代半导体因其优异的性能，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域拥有广泛的应用前景。第三代半导体材料具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，正在成为全球半导体产业新的战略高地。

在宽禁带半导体材料中，SiC碳化硅宽带隙特性可以进一步提高功率器件的性能，因此尤其受到功率半导体市场的青睐。

混动汽车和电动汽车（HEV/EV）市场正在飞速发展。市场中的车辆电气化程度不断提高，给汽车设计和制造带来了新的挑战。许多 HEV 和 EV 制造商将其功率转换设计迁移到宽带隙（WBG）器件，例如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以便在更小、更轻和温度更低（散热更少）的封装内实现更高的效率（扩展的范围）和更高的功率。不过，要确保这些新设计安全可靠，需要考虑许多重要问题。

是德科技与 HEV/EV 功率转换市场中的行业领导者紧密合作，帮助他们顺利完成过渡，在其设计中使用WBG宽禁带半导体器件。利用这些关系，是德科技开发出了一流的建模套件和功率电路仿真器工具，使 WBG宽禁带半导体器件设计人员能够比以往更轻松地创建模型。测试套件（其中包括曲线追踪、S参数和双脉冲测试仪硬件）根据真实 WBG宽禁带半导体器件进行测量，并使用先进的建模软件来构建是德科技独有的复杂 WBG宽禁带半导体器件模型。

随后，是德科技先进设计系统软件可以使用这些模型仿真和分析高频分量对设计可靠性和 EMI的影响。在进入原型设计阶段之前，工程师可以对设计进行修改，避免不必要的设计过程，从而节省时间和成本。

IGBT- Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘门极双极性晶体管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT属于什么器件？

IGBT半导体器件是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率，高电压，大电 流，易于开关等优良性能。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗，低导通压降，高速开关特性和低导通状态损耗等特点，非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力应用。

IGBT模块是由 IGBT 与 FWD（续流二极管芯片）通过特定的 电路桥接封装而成的模块化半导体产品，IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品。随着节能环保等理念的推进，此类产品在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。应用产品如风力发电变频器、光伏逆变器、轨道交通牵引变流器、电动汽车电机控制及充放电控制等。

•栅极给定偏压，反向沟道就产生了.
•集电极上给定偏压时，管子就处于开态
•p-n 结之间产生耗尽层.
•管子处于电压受控状态

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗，低导通压降，高速开关特性和低导通状态损耗等特点，非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用。

IGBT功率器件与SiC功率器件的性能对比

IGBT功率器件集合了BJT和功率MOSFET的双重优点，它既具有功率MOSFET的高速开关和电压驱动特性，又具有BJT的低饱和压降和承载较大电流的特点，且具有高耐压能力。

IGBT功率器件具有高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠性和低成本的特點。也就是说，要想设计出性能更好的IGBT产品，需要减少产品的损耗，提高开通速度、鲁棒性和可靠性，提升工作温度等方面入手。

IGBT器件主要参数

IGBT器件参数可以分为两大类，分别是静态参数和动态参数。

什么是静态参数？静态参数有哪些？

静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数，相关参数主要有：门极开启电压、门极击穿电压，集电极发射极间耐压、集电极发射极间漏电流，寄生电容：输入电容、转移电容、输出电容，以及以上参数的相关特性曲线的测试。

什么是动态参数？动态参数有哪些？

动态参数是指开关过程中的相关参数，这些参数会随着开关条件如电压，工作电流，驱动电压，驱动电阻等的改变而变化，相关参数有栅极电荷，导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、开通损耗、关断损耗、反向恢复电流、反向恢复时间以及反向恢复能量等。

IGBT器件应用

目前，IGBT技术正全面快速的更新换代，IGBT器件也在各个领域广泛应用，为了进一步了解IGBT器件特性，从而满足器件性能、参数的进一步提升和优化，对IGBT内部结电容的准确测量也是非常必要的。

一、IGBT内部结电容有哪些

由于设计结构，IGBT内部存在许多寄生电容，这些等效电容可以简化为IGBT各级之间的电容：

1、输入电容Cies：Cies=CGC+CGE

当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断，因此主要影响器件的开关速度、开关损耗。

2、输出电容Coes：Coes=CGC+CCE

主要影响器件VCE的变化，限制开关转换过程中的dv/dt。Coes造成的损耗一般可以被忽略。

3、反向传输电容Cres：Cres=CGC

也常叫米勒电容，主要影响器件栅极电压VGE和VCE的耦合关系。

二、IGBT器件开启过程中电容如何充电

第一阶段：施加的栅极电流对CGE充电，栅压VGE上升，至阈值电压VGE(th)。过程中集电极和发射极之间电压是无变化的，ICE为零。这段时间称为死区时间。

第二阶段：栅极电流对CGE和CGC充电，IGBT的集电极电流ICE开始增加，并达到最大负载电流IC，由于存在二极管的反向恢复电流，这个过程与MOSFET的开启有所不同。栅压VGE达到米勒平台电压。

第三阶段：栅极电流继续对CGE和CGC充电，此时栅压VGE保持不变，但是VCE开始快速下降。

第四阶段：栅极电流继续对CGE和CGC充电，VCE缓慢下降成稳态电压，米勒电容随着VCE的减小而增大。此时栅压VGE仍保持在米勒平台上。

第五阶段：栅极电流继续对CGE充电，栅压VGE开始增大，IGBT完全开启。

其中，第三、四阶段栅极出现一个恒定的电压，这种现象叫作米勒平台或米勒电压。这段时间，栅极的充电过程是由CGC决定的。VCE不断降低，电流IGC通过CGC给栅极放电，这部分电流需要驱动电流IDirver来补偿。

三、IGBT电容如何测试

1、测试设备

KEYSIGHT B1505A功率器件分析仪、N1272A和N1273A组件。

Keysight B1505A功率器件分析仪是一个功能强大的测量和表征工具，通过连接N1272A和N1273A组件，能够完成IGBT器件CV测试。

2、测试频率的选择

由于测试电路中必然存在杂散电感和电容，如果将测试电路简化为一个RCL串联电路，那么稳态时，电压和电流的关系为

在模块封装和测试电路中，电感L的数量级一般为nH级，器件结电容C的数量级一般为nF级，当测试选择f=1MHz时，是的10^3-10^6倍，L可忽略，只侧重电容C的值。

3、测试过程与结果

在完成设备自身的电容校准和补偿后，Keysight B1505A功率器件分析仪可以生成一个电容校准文件。测试时，调用此文件进行设备配置，可完成高精度的测量。

①输入电容Cies

IGBT器件与设备正确连接后，根据测试条件，将VGS设置为0V，频率设置为1MHz，调整VCE电压扫描范围，开始测试。测试完后可得到VCE-Cies曲线，在曲线中某一VCE值对应的纵坐标即为Cies。下图分别为测试电路和测试图：

由于Cies=CGC+CGE，为了消除CCE的影响，器件结电容C的数量级一般为nF级，在CE两端并联一个1μF的电容，那么CCE和此电容并联所得的电容约为1μF，屏蔽了CCE。并联后的电容又与CGC串联，1μF的电容又被CGC屏蔽了。输入电容即为CGC和CGE并联所得。

其中，电路中GE间的电阻（100kΩ）作用是虚短路，防止IGBT状态的不稳定。CE间的电阻（100kΩ）利用高阻抗性，避免电源部分对电路测量的影响。GE间的电容（100nF）是为了隔绝直流电压直接加在设备上。

②同理，输出电容Coes

由于Coes=CGC+CCE，考虑如何消除CGE的影响。直接使C极和E极短路，则CGC与CCE并联，所得的电容值为Coes。

其中，GE和CE间的电容均为100nF，GE和CE间的电阻均为100kΩ。

③反向恢复电容Cres

其中，GE和CE间的电容均为100nF，GE和CE间的电阻均为100kΩ。

将三条电容曲线放在一张图中，则可得到下图：

可以看出，IGBT的结电容随着VCE的增大而逐渐减小，此现象尤其在低电压0~5V时比较明显。

一般认为，栅极通过氧化层与其它层之间的等效电容不随电压的变化而变化（包括栅极与芯片金属层之间的C1，栅极与N-区之间的C2，栅极和P沟道之间的C3，以及栅极与N+发射区之间的C4）。

半导体内部其他电容是空间电荷区作用的结果，会随着电压的变化而变化（包括半导体材料上表面与N-区之间的C5，与P沟道之间的C6，以及P沟道和N-区之间的C7）。这些电容可等效为电压控制的平面电容器。根据下式，

其中，A为电容器的表面积（cm2）;d为空间电荷区的宽度（cm），C为电容（F）。所以电容与电压的大小和载流子的浓度有关，随着VCE的增大，pn结不断耗尽，耗尽层越来越宽，相当于宽度d变大，反应到电容上就是呈现逐渐减小的趋势。

IGBT功率器件参数测试

在新能源汽车中，最有提升空间的当属电机驱动部分，而电机驱动部分最核心的元件IGBT。从成本来说，IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，并且决定了整车的能源效率。为了获得更高的耐压，更大的电流和高可靠性，通常会将多个IGBT器件级联成模块来使用，价格也更加昂贵。

对于IGBT的下一代SiC（碳化硅）宽禁带功率器件来说，具有高转换效率，高工作频率，高使用环境温度。但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的7倍；其次是电磁干扰； SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，电路回路寄生参数已经大到无法忽略，需要额外注意EMI问题。例外SiC的产能也非常有限，国外也是刚开始大规模进行6英寸SiC晶圆的投产，未来的主要应用还是IGBT功率器件。

IGBT功率器件主要测试参数

不管是功率器件的研发人员，还是设计中使用功率器件的电路设计人员，那么一定知道， 全面、精确地了解功率器件在各种条件下的性能表现是多么重要。功率器件将最终决定电子电路的功率损耗，因此深入了解它们的特征对于开发可靠和节能的产品非常关键。获得完整的功率器件技术参数的方法有时非常繁琐，而且使用曲线追踪仪和其他传统设备测量器件参数的过程十分耗时和冗长。

IGBT器件参数可以分为两大类，分别是静态参数和动态参数。静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数，相关参数主要有：门极开启电压、门极击穿电压，集电极发射极间耐压、集电极发射极间漏电流，寄生电容：输入电容、转移电容、输出电容，，以及以上参数的相关特性曲线的测试。动态参数是指开关过程中的相关参数，这些参数会随着开关条件如电压，工作电流，驱动电压，驱动电阻等的改变而变化，相关参数有栅极电荷，导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、开通损耗、关断损耗、反向恢复电流、反向恢复时间以及反向恢复能量等。

2. IGBT晶圆和器件参数的测试方法

Keysight现在可以提供完整IGBT晶圆和器件参数的测试方法，可以轻松实现静态参数IV，CV和动态参数栅极电荷Qg的测试。这些方法同样适用于宽禁带半导体SiC和GaN功率器件。下表列举了IGBT功率器件典型IV，CV和Qg参数：

表1 IGBT功率器件典型指标

3.B1506A自动全参数测试

面对IGBT功率器件高压、高流的测试要求，Keysight可以提供B1505A和B1506A两套测试方案，可以支持晶圆和封装器件全参数测试：

测量所有IV参数(Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat等)

测量高电压3kV偏置下的输入、 输出和反向转移电容

支持自动CV测试

测量栅极电荷(Qg)

电流崩塌测试（针对GaN器件，独家）

高低温测试功能（-50℃至+250℃）

其中B1506A有着宽泛的电流和电压工作范围(1500A，3kV)，易于使用并且支持全自动测试，可以完成IGBT功率器件IV，CV和Qg全参数测试，最终输出产品Datasheet报告。

3.1 静态参数IV和CV参数测试

通常需要切换测试仪表和器件连接方式来完成在进行功率器件IV和CV整体参数测试，尤其在进行CV特性参数测试。IGBT功率器件需要在很高的直流偏置下测量其关断状态下的特性，其中在进行输入电容Cige，同时需要给集电极加直流偏置，同时对集电极和发射极之间进行交流短路。如果是常开型的功率器件，需要在Gate上加负电压关断器件，测试系统会更加复杂。

而B1506A中测试夹具集成了switch，AC Blocking和DC Blocking，从而可以实现IV和CV全参数的全自动化测试。只需要设置好测试条件，将器件放置在测试夹具中，就可以完成IV和CV自动测试。

3.2 栅极电荷Qg测试

栅极电荷是启动功率器件所需的电荷总量，表现为由三个不同斜率线段构成的连续曲线。以MOSFET功率器件为例：

Qg曲线的第一个线段显示 Vgs升高，其中器件断开，Ciss_off由 Ig充电: 表达式为 Vgs = (1/Ciss_off)*Qg。Cgs通常远大于 Crss，因此近似表达式为 Vgs = (1/Cgs)*Qg。该阶段的栅极电荷称为 Qgs。Vgs高于阈值电压 (Vth)时，漏极 (或集电极)电流开始流动。该阶段Vgs持续升高，直到漏极电流达到Id-Vgs特征的额定电流。

第二个水平线段中，器件从接通转换为完全启动状态，所有Ig电流进入Crss，因此Vgs不变。这一段该阶段的电荷称为 Qgd，决于Crss断开状态和接通状态的漏极(或集电极)电压，Qgd值影响器件的开关性能。

最后阶段，器件完全启动，Ciss_on恢复充电。Vgs表示为Vgs = (1/Ciss_on)*Qg。

Keysight分别测量强电流/低电压和高电压/弱电流的 Qg，然后合并测量结果，提取从高电压关断状态到强电流导通状态的总体 Qg 曲线实际值。

3.3 高低温测试功能

功率器件广泛应用于众多产品中，包括重型设备、高铁和汽车等。显然，所有这些产品都必须具有极高的可靠性，并且能够在恶劣的环境条件下正常使用。其高低温工作性能尤为重要，因为设备必须保证能够在低温(汽车“冷”启动) 和高温 (器件处于热辐射设备附近) 下正常使用。

B1506A能够应对所有这些功率器件温度测试挑战，能够在 -50 °C至220 °C温度范围内自动精确地表征器件。B1506A与inTest THERMOSTREAM® (高低温冲击试验箱) 结合使用，可在 -50℃至 +220℃的温度范围内快速执行自动化器件表征；例外一种是使用inTest加热板可置于B1506A测试夹具中,支持自动温度表征(室温至+250℃)。

4 IGBT器件实测和总结

4.1 IGBT器件实测

使用B1506A的Datasheet测试功能对某IGBT功率器件进行实测，整个测试过程使用非常简单，在极短的时间内完成IV，CV和Qg参数测试。具体测试步骤如下：

选择IGBT测试模板，按照测试要求设置测试条件；

设置测试曲线的显示范围；

选择需要测试的参数；

点击执行测试。

IGBT器件测试完成后，可以生成Datasheet测试报告如下所示，包括IV参数（击穿电压，漏电，开启特性），CV参数（Rg，输入，输出和反向传输电容）和栅极电荷Qg。

4.2 IGBT器件测试总结

完成功率半导体器件的完整参数测试，包括IV，CV和Qg，支持在高低温条件下进行参数测试；

测试全自动化，B1506A将所有的接线切换通过开关矩阵实现，实现了测量的自动化，既能保证测试精度和重复性，同时极大的提升了测量速度；

可以建立Datasheet Characterization测试模板，测试结果可以输出测试数据、Datasheet报告和数据汇总等。

是德科技PD1500A动态功率器件分析仪能够提供1200V、200A的漏极测试电压电流，提供-28V到+28V的栅极驱动电压，适应不同规格器件的测量；高电流shunt，具备400MHz的电流测试带宽，能够捕捉ns级别的快速开关边沿；我们专门开发了半自动校准例程 (AutoCal)，用于校正系统增益和偏置误差。针对测量电流时所出现的不一致性，系统还使用先进技术加以补偿，保证测量精度和重复性。

Keysight PD1500A DPT 可以测量功率半导体器件的动态参数，包括：

PD1550A的功能在PD1500A的基础上进行了扩展，为测试高达1360 V和1000 A 的功率模块提供了一套完整的解决方案。该平台还内置了保护机制，确保用户的安全和系统硬件的保护。