【产品】30V N沟道MOSFET TTD100N03GT/TTP100N03GT，漏源电阻最大仅5.3mΩ

时间： 2019-11-29 来源：无锡紫光微电子

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TTD100N03GT,TTP100N03GT是无锡紫光微电子推出的30V、N沟道MOSFET.其中TTD100N03GT采用TO-252封装，TTP100N03GT采用TO-220封装。

图1 实物图

主要参数：

特性：

沟槽型功率MOSFET技术

低漏源导通电阻

低栅极电荷
针对快速切换应用进行了优化
绝对最大额定值特性：

热特性：

应用：

·DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流

·电信和工业中的隔离式DC / DC转换器

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

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