【产品】具有低栅极电荷特性的N沟道功率MOSFET器件RU3030M3，总栅极电荷典型值为12nC

时间： 2022-04-02 来源：锐骏半导体

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深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业。其推出的N沟道功率MOSFET器件RU3030M3采用DFN3333封装，其漏源电压V_DSS为30V，栅源电压V_GSS为±20V，连续漏极电流I_D为30A（V_GS=10V，T_C=25℃）。该器件的体二极管的正向压降V_SD的最大值为1.2V（I_SD=20A, V_GS=0V），二极管的连续正向电流I_S为30A（T_C=25°C），该器件的结到壳的热阻值为4.2℃/W，结到环境的热阻值为35℃/W，该器件经过100%雪崩测试，可提供无铅和绿色环保器件，符合RoHS标准，可用于开关应用系统。

产品特点

• 漏源电压30V，连续漏极电流30A

• R_{DS (ON)} =7mΩ(典型值)@V_GS=10V

• R_{DS (ON)}=10mΩ(典型值)@V_GS=4.5V

• 超高密度单元设计

• 切换速度快

• 低栅极电荷

• 100%雪崩测试

• 提供无铅和绿色环保器件（符合 RoHS 标准）

产品应用

• 开关应用系统

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2022-03-07 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】40V/40A双N沟道功率MOSFET RUH40D40M，可用于DC-DC转换器和锂电池保护等应用

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2022-04-22 - 产品代理服务技术支持批量订货

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2022-04-03 - 产品代理服务技术支持批量订货

RU3030M2 N沟道高级功率MOSFET

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型号- RU3030M2

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RU3030M3 N沟道高级功率MOSFET

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型号- RU3030M3

JAN., 2021 - 锐骏半导体 - 数据手册 - Rev. A 代理服务技术支持批量订货

DI2A2N100D1K N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了DI2A2N100D1K型N沟道功率MOSFET的特性、应用领域和尺寸。该器件具有高漏源电压、低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于电源供应、功率因数校正（PFC）、高压直流驱动和电池管理系统（BMS）等领域。

型号- DI2A2N100D1K,DI2A2N100D1K-AQ

2024/2/22 - DIOTEC - 数据手册 - Version 2024-02-13 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

优利电子科技有限公司功率MOSFET UF3808 140A，75V N沟道功率MOSFET

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型号- UF3808,UF3808L-TA3-T,UF3808G-TA3-T

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型号- RU30D20M3

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型号- RU30D20M2

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型号- RU75N08R

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锐骏半导体MOSFET选型表

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3

选型表 - 锐骏半导体立即选型

【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术

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CS5N90FA9R硅N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了硅N沟道增强型VDMOSFET器件CS5N90F A9R的技术规格和应用。该器件采用自对准平面技术制造，具有低导通损耗、高开关性能和抗雪崩能量强等特点。适用于适配器和充电器等电源转换电路，以实现系统小型化和高效能。

型号- CS5N90FA9R

2020 - 华润微电子 - 数据手册 - V01 代理服务技术支持批量订货

锐骏半导体N-MOSFET选型表

锐骏半导体提供以下参数的N-MOSFET：Channel(沟道)：N/Dual-N/N+P; ESD(静电泄放):N/Y; VDSS(零栅压最大漏源电压):20~85V; VTH(阈值电压)：0.5~5V; IDS:0.2~200A; 封装外形有：SOT23-3、DFN3333、DFN3030、SOT23、SOT23-6等多种封装外形

产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3