【选型】内置ESD保护的N沟道功率MOSFET PJQ2800可Pin-Pin替代Vishay的SiA910EDJ
某客户在光模块中选用了VISHAY公司的MOSFET SiA910EDJ，不过因供货周期和价格压力，该客户需要选择一款低成本、交期好的替代品，本文重点推荐强茂（PANJIT）的N沟道功率MOSFET PJQ2800可Pin-Pin替代SiA910EDJ，典型电性参数对比参考如下图1所示。
图1 PJQ2800与SiA910EDJ典型电性参数对照表
由上图易知：
1、PJQ2800和SIA910EDJ的电性能参数差别不大，性能上完全可以实现替换。
2、二者封装命名虽然不同，但尺寸一致，典型内部结构和引脚定义参考如下图2所示。
图2 PJQ2800与SiA910EDJ内部结构及引脚定义
通过如上图示易知：
二者内部功能及引脚定义完全一致，可实现兼容设计，无需更改任何外部电路。
另外， PJQ2800具有更低的成本和更好的供货周期，可快速支持样品和后续量产服务。
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