【产品】三款正向压降仅为0.85V的硅肖特基整流器，平均正向电流为5.0A，适用于各类不同产品的选型与设计

时间： 2018-12-26 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅肖特基整流器——CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100是高品质、高可靠性组件，表面贴装，采用DPAK封装，平均正向电流为5.0A，更适应于各类不同产品的选型与设计，设计用于所有类型的商业，工业，娱乐，计算机和汽车应用。其产品实物图如图1所示。

图1.CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器产品实物图

CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的反向耐压值V_RRM分别为40V、60V和100V，直流阻断电压V_R分别为40V、60V和100V，RMS反向电压V_R(RMS)分别为28V、42V和71V，最高电压达到100V，具有较高的反向耐压能力，可使用于不同电压需求的产品选型设计。当CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的直流阻断电压V_R为额定的V_RRM时，其反向漏电流I_R的最大值为0.2mA，具有低反向漏电流。其系列当正向电流I_F为5.0A时，正向压降V_F的最大值依次为0.55V、0.75V和0.85V，还具有较低的正向压降。产品封装尺寸、引脚说明图如图2所示。

图2.CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的封装尺寸、引脚说明图

CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的正向浪涌峰值电流I_FSM均为100A（tp=8.3ms），具备较强的抗浪涌冲击能力。其热阻Θ_JL典型值均为5.0°C/W，结电容的典型值分别为225pF、185pF和145pF(V_R=4.0V, f=1.0MHz)。工作温度和存储结温范围为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。另外，CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的平均正向电流与温度均具有负的温度系数，平均正向电流对环境温度较为敏感，电流值随着温度的变化而变化。根据设计的需求，可平均正向电流与温度曲线，通过相应的坐标值，方便产品电流选型设计。具体关系曲线如图3所示。

图3.CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的平均正向电流与温度关系曲线

CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的主要特性：

•反向耐压值V_RRM分别为40V、60V和100V

•正向浪涌峰值电流I_FSM均为100A（tp=8.3ms）

•平均正向电流为5.0A

•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃

•热阻Θ_JL典型值均为5.0°C/W

•结电容的典型值分别为225pF、185pF和145pF(V_R=4.0V, f=1.0MHz)

•DPAK表面贴装封装

•高品质、高可靠性

•低正向电压

CSHD5-40、CSHD5-60、CSHD5-100硅肖特基整流器的典型应用：

• 商业，工业，娱乐，计算机和汽车

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型号- RM100N10QT2,DTC113ZCA,TEP5Z7V0,DTC114TUA,2SA1235A,FMD1S-D7S,RL1601C-1607C,DTA123YKA,FM5820-5822,TEP05DP,DAN217U,DB201S-207S,MMBT4401,DTA144EKA,RB50V-40,TO-247,MMBT4403,MMBZ5259B,MM1Z5221B,SLDB101S-107S,05N17-19,MUR120-160,FM5817F-19F,SR1550P,TEP0803L,RS-6 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