【产品】正芯推出3款N沟道MOSFET，开关速度快，最高栅源电压60V

时间： 2022-12-16 来源：正芯

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正芯推出3款适用于电池管理系统，电机控制和驱动以及不减DAU脑袋能源的N沟道MOSFET：TO-220封装的RCP80N06A，TO-263封装的RCS80N06A，TO-252封装的RCD80N06A。该产品最高漏极-源极直流电压为60V；T_C为25℃时，连续漏极电流80A；最大脉冲漏极电流为320A，最高栅源电压为±20V。

产品特性：

低栅极电荷
低Crss(典型值142pF)
开关速度快
100%经过雪崩测试
高抗dv/dt能力
RoHS产品

产品应用：

电池管理系统
电机控制和驱动
不间断电源

绝对额定参数（T_C=25℃）：

电气特性：

温度特性：

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本文由咪猫转载自正芯，原文标题为:N-CHANNEL MOSFET RCP80N06A/RCS80N06A/RCD80N06A，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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