【产品】N沟道增强型场效应晶体管YJL1012E，静态漏源导通电阻可不超过260mΩ
扬杰科技推出的YJL1012E型N沟道增强型场效应晶体管，漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V。TA= 25℃条件下，晶体管的漏极电流可达0.77A，脉冲漏极电流最大额定值为3A（脉冲测试：脉冲宽度≤300us，占空比≤2％）。晶体管采用SOT-523封装，采用沟道功率低压MOSFET技术，符合RoHS标准。产品可用于电池保护,负荷开关和电源管理等领域。
此外，YJL1012E在TA= 25℃,稳态条件下的功耗为0.29W。器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。
图1 产品外观和内部电路图
产品特征：
漏源电压最大额定值为20V
漏极电流（TA = 25℃）可达0.77A
采用沟道功率低压MOSFET技术
高密度单元设计，实现低导通电阻RDS（ON）：
静态漏源导通电阻不超过260mΩ（VGS=4.5V）;
静态漏源导通电阻不超过360mΩ（VGS=2.5V）;
静态漏源导通电阻不超过700mΩ（VGS=1.8V）;
高速开关特性
ESD 保护 >4.0KV(HBM)
应用领域：
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
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