【应用】N沟道增强型MOSFET PJD80N06在用于潜水泵设计，导通电阻仅7mΩ
潜水泵由电机、水泵、密封三部分组成，用于工厂、商场、医院、宾馆的废水排放。电机位于水泵上部，为三相异步电动机；水泵位于电机下部，为双流道叶轮、蜗壳式结构；水泵与电动机之间采用硬质机械密封，各固定止口处采用“O”形耐油橡胶密封圈作静密封。
某客户在设计潜水泵中采用某进口品牌低压MOSFET 2SK3730，供应周期长，在现场出现MOSFET经常过温而烧毁的情况，因此客户希望优化设计并使用国产替代。笔者推荐使用PANJIT的N沟道增强型MOSFET PJD80N06，RDSON最大值7mΩ，Ciss为6252pF，能很好实现替代。
PJD80N06的导通电阻比2SK3730的7.9mΩ低，导通电阻越小，在同等电流下发热量小，从而保证MOSFET的高能效；PJD80N06输入电容6252pF比2SK3730的7900pF小，MOSFET电容量值越小，QG越小，开关速度越快，开关损耗就越小，发热量更低。客户采用PJD80N06在现场保持稳定运行，温度比2SK3730低5℃左右，长期运行不良率低于2‰，有效改进了原设计。
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