【应用】N沟道增强型MOSFET PJD80N06在用于潜水泵设计,导通电阻仅7mΩ

2020-09-24 世强
N沟道增强型MOSFET,PJD80N06,PANJIT N沟道增强型MOSFET,PJD80N06,PANJIT N沟道增强型MOSFET,PJD80N06,PANJIT N沟道增强型MOSFET,PJD80N06,PANJIT

潜水泵由电机、水泵、密封三部分组成,用于工厂、商场、医院、宾馆的废水排放。电机位于水泵上部,为三相异步电动机;水泵位于电机下部,为双流道叶轮、蜗壳式结构;水泵与电动机之间采用硬质机械密封,各固定止口处采用“O”形耐油橡胶密封圈作静密封。


某客户在设计潜水泵中采用某进口品牌低压MOSFET 2SK3730,供应周期长,在现场出现MOSFET经常过温而烧毁的情况,因此客户希望优化设计并使用国产替代。笔者推荐使用PANJITN沟道增强型MOSFET PJD80N06,RDSON最大值7mΩ,Ciss为6252pF,能很好实现替代。


PJD80N06的导通电阻比2SK3730的7.9mΩ低,导通电阻越小,在同等电流下发热量小,从而保证MOSFET的高能效;PJD80N06输入电容6252pF比2SK3730的7900pF小,MOSFET电容量值越小,QG越小,开关速度越快,开关损耗就越小,发热量更低。客户采用PJD80N06在现场保持稳定运行,温度比2SK3730低5℃左右,长期运行不良率低于2‰,有效改进了原设计。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由daniel提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460

PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460(60V/3.2A)N沟道增强型MOSFET。无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。

2019-12-17 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU

PANJIT(强茂)推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装,其中漏-源电压最大额定值为60V,连续漏极电流最大额定值为250mA。

2019-12-30 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

强茂(PANJIT)Medium Voltage MOSFET选型表

强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):-100~200,ID(A):-16~166,RDS(on) Max. (Ω)(10V):3.3~4200等。强茂的中压产品开发BVDSS 60 - 200V系列产品,采沟槽式(Trench)结构设计提高产品特性;常被用于同步整流电路,可应用在消费性产品,电子电源,通讯电源系统等。

产品型号
品类
Package
Product Status
Replacement Part
AEC-Q101 Qualified
ESD
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
RDS(on) Max. (mΩ)(7V)
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PSMQC060N06LS1-AU
Medium Voltage MOSFET
DFV5060-8L
New Product
-
AEC-Q101 Qualified
-
N
Single
60
20
68
6
-
10
2057
3
-
19

选型表  -  PANJIT 立即选型

【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A

PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A(60V/42A)N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。

2019-12-20 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】DFN3333-8L封装的PJQ4442P(40V/50A)N沟道增强型MOSFET,采用了先进的沟槽工艺技术

PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN3333-8L封装的PJQ4442P(40V/50A)N沟道增强型MOSFET。采用先进的沟槽工艺技术超低的导通电阻,符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。

2019-09-12 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V,采用先进沟槽工艺技术

强茂(PANJIT)推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V,在TA=25℃的条件下,漏源电压为20V,栅源电压为±8V,连续漏极电流为1.0A。

2022-09-09 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET,反向传输电容为85pF

PANJIT推出了60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET,反向传输电容为85pF。具有开关速度快、改进的dv/dt能力、反向传输电容低的特点,符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。

2019-12-20 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K,内置了ESD保护二极管

PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K,内置了ESD保护二极管,采用先进的沟槽处理技术,高密度单元设计实现超低导通电阻。漏源电压为60V,漏极持续电流为300mA,最大耗散功率为350mW,采用SOT-23封装。

2020-10-25 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E,栅源电压±8V,专为开关负载、PWM应用等设计

强茂(PANJIT)推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E,在TA=25℃的条件下,漏源电压为20V,栅源电压为±8V,连续漏极电流为5.1A,该器件专为开关负载、PWM应用等设计。

2022-09-08 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】TO-252AA封装的60V/11A N沟道增强型MOSFET PJD11N06A,反向传输电容典型值为23pF

PANJIT(强茂)电子有限公司推出了TO-252AA封装的PJD11N06A(60V/11A)N沟道增强型MOSFET。反向传输电容典型值为23pF,具有开关速度快、低栅极电荷的特点,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。

2019-12-31 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90N03

PANJIT(强茂)推出了PJD90N03为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装,其中漏-源电压最大额定值为30V,连续漏极电流最大额定值为90A。

2019-09-21 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】强茂推出20V/2A无铅N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU,SOT-23封装

PANJIT(强茂)推出的N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU,采用SOT-23封装,在TA=25℃条件下,漏源最大电压20V,漏极直流电流最大2A,在ESD保护方面,HBM保护2KV,专为开关负载、PWM应用等而设计,无铅。

2022-09-01 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】强茂N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU,ESD保护高达2KV HBM

强茂(PANJIT)推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU,高达2KV HBM的ESD保护,在TA=25℃的条件下,其漏源电压为20V,栅源电压为±8V,连续漏极电流为6.5A。

2022-07-30 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】650V/4A的N沟道增强型MOSFET PJF4N65M,导通电阻<2.8Ω

强茂(PANJIT)推出的PJF4N65M N沟道增强型MOSFET,采用ITO-220AB-F封装,漏极-源极电压最大值为650V,Tc=25℃时的连续漏极电流最大值为4A。具有开关速度快、改进的dv/dt能力、栅极电荷低等特点。

2020-10-03 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E,漏源电压为30V

强茂(PANJIT)推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E,在TA=25℃的条件下,漏源电压为30V,栅源电压为±12V,连续漏极电流为4.2A,该器件专为开关负载、PWM应用等设计。

2022-08-13 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:PANJIT

品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥2.1271

现货: 208

品牌:PANJIT

品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.0900

现货: 16,490

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1090

现货: 6,465

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet

价格:¥0.6648

现货: 5,000

品牌:PANJIT

品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1170

现货: 4,050

品牌:PANJIT

品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.3258

现货: 3,574

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥1.0855

现货: 3,150

品牌:PANJIT

品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.1676

现货: 3,000

品牌:PANJIT

品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.0904

现货: 2,930

品牌:PANJIT

品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET

价格:¥0.5916

现货: 2,900

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:DCY

品类:MOSFET

价格:¥2.0000

现货:15

品牌:PANJIT

品类:晶体管

价格:¥0.0600

现货:419,911

品牌:PANJIT

品类:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

价格:¥0.1000

现货:300,000

品牌:PANJIT

品类:SCHOTTKY BARRIER DIODE

价格:¥0.1900

现货:203,400

品牌:PANJIT

品类:二极管

价格:¥0.1800

现货:181,927

品牌:PANJIT

品类:二极管

价格:¥0.0600

现货:103,034

品牌:PANJIT

品类:二极管

价格:¥0.1800

现货:88,016

品牌:PANJIT

品类:二极管

价格:¥0.0700

现货:76,658

品牌:PANJIT

品类:二极管

价格:¥0.0600

现货:63,615

品牌:PANJIT

品类:二极管

价格:¥0.0600

现货:48,540

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

粘结钕铁硼磁铁定制

可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,

最小起订量: 1 提交需求>

位移传感器量程定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

最小起订量: 1 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面