【产品】硅N/P沟道互补的CMLDM3757增强型MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计
Central Semiconductor (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。Central Semiconductor主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块（MDM）。力求为客户提供高品质高可靠性产品，创新型解决方案。
Central Semiconductor公司推出了CMLDM3757表面安装型硅N沟道和P沟道互补增强型MOSFET。其漏源电压为20V，门极-源级电压为8V，漏极电流为540mA（N沟道类型）和430mA（P沟道类型），峰值漏极电流为1500mA（N沟道类型）和750mA（P沟道类型），额定功率损耗最低为150mW（使用FR-4环氧PC板，铜安装垫面积为1.4mm2），可以有效降低功耗，热阻ΘJC为357℃/W。CMLDM3757增强型MOSFET提供低RDS（ON）和低阈值电压。在VGS=4.5V，ID=540mA时RDS最大仅为0.55Ω（N沟道），在VGS=4.5V，ID=430mA时RDS最大仅为0.9Ω（P沟道）。CMLDM3757增强型MOSFET具有较低的阈值电压，在VDS=VGS，ID=250μA条件下，阈值电压VGS(th)最小为0.45V，最大为1V。因此，该MOSEFT专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
图1 CMLDM3757增强型MOSFET产品图
CMLDM3757增强型MOSFET使用SOT-563表面贴装式封装，存储和工作温度范围为-65~150℃，工作温度范围较广，可满足不同的应用需求。
图2 CMLDM3757增强型MOSFET封装尺寸图
图3 CMLDM3757增强型MOSFET内部结构图
CMLDM3757增强型MOSFET的产品特性及优势：
•高达1800V的ESD保护电压
•功耗最低为150mW（使用FR-4环氧PC板，铜安装垫面积为1.4mm2）
•极低的RDS（ON）
•低阈值电压
•兼容逻辑电平
•使用小型SOT-563表面贴装封装
CMLDM3757增强型MOSFET的主要应用：
•负载/电源开关
•电源转换器
•使用电池供电的便携式设备
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