【产品】硅N/P沟道互补的CMLDM3757增强型MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计

时间： 2018-10-18 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。Central Semiconductor主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块（MDM）。力求为客户提供高品质高可靠性产品，创新型解决方案。

Central Semiconductor公司推出了CMLDM3757表面安装型硅N沟道和P沟道互补增强型MOSFET。其漏源电压为20V，门极-源级电压为8V，漏极电流为540mA（N沟道类型）和430mA（P沟道类型），峰值漏极电流为1500mA（N沟道类型）和750mA（P沟道类型），额定功率损耗最低为150mW（使用FR-4环氧PC板，铜安装垫面积为1.4mm²），可以有效降低功耗，热阻Θ_JC为357℃/W。CMLDM3757增强型MOSFET提供低R_DS（ON）和低阈值电压。在V_GS=4.5V，I_D=540mA时R_DS最大仅为0.55Ω（N沟道），在V_GS=4.5V，I_D=430mA时R_DS最大仅为0.9Ω（P沟道）。CMLDM3757增强型MOSFET具有较低的阈值电压，在V_DS=V_GS，I_D=250μA条件下，阈值电压V_GS(th)最小为0.45V，最大为1V。因此，该MOSEFT专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。

图1 CMLDM3757增强型MOSFET产品图

CMLDM3757增强型MOSFET使用SOT-563表面贴装式封装，存储和工作温度范围为-65~150℃，工作温度范围较广，可满足不同的应用需求。

图2 CMLDM3757增强型MOSFET封装尺寸图

图3 CMLDM3757增强型MOSFET内部结构图

CMLDM3757增强型MOSFET的产品特性及优势：

•高达1800V的ESD保护电压

•功耗最低为150mW（使用FR-4环氧PC板，铜安装垫面积为1.4mm²）

•极低的R_DS_（ON）

•低阈值电压

•兼容逻辑电平

•使用小型SOT-563表面贴装封装

CMLDM3757增强型MOSFET的主要应用：

•负载/电源开关

•电源转换器

•使用电池供电的便携式设备

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plhust Lv7. 资深专家 2020-11-09

不错
桃梅 Lv7. 资深专家 2018-11-05

学习一下
plhust Lv7. 资深专家 2018-11-01

挺好
思媛 Lv4. 资深工程师 2018-10-28

不错
明释 Lv5. 技术专家 2018-10-18

学习

国丰 Lv7. 资深专家 2018-10-18

不错，学习了
duanmaxie Lv8. 研究员 2018-10-18

不错
软件研发 Lv7. 资深专家 2018-10-18

支持
墨眉 Lv5. 技术专家 2018-10-18

不错，学习了

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