【产品】国产线性传感器TMR21XX系列，非线性度为±0.5 %，频响高达500kHz

时间： 2022-07-16 来源：多维科技

多维科技 TMR21XX系列TMR线性磁场传感器芯片采用了推挽式惠斯通电桥结构，当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，传感器的输出电压随外加磁场线性地变化。TMR21XX系列线性磁场传感器芯片采用SOT23-5的封装形式，具有体积小和容易焊接的特点。该系列包括TMR2108、TMR2109、TMR2110和TMR2111四款TMR线性磁场传感器芯片。

产品特性

（1）隧道磁电阻(TMR)技术；

（2）非线性度：±0.5%；

（3）宽线性范围；

（4）宽工作电压范围：0.5V~7V；

（5）低磁滞；

（6）高频响：可达500kHz；

（7）工作温度-40°C~+125°C。

典型应用

（1）磁力计

（2）电流传感器；

（3）位置传感器；

（4）角度传感器；

（5）磁导航。

产品型号列表

图1.功能框图

图（左）.引脚定义图（右）.产品敏感方向

微信截图_20220614233020.png

极限参数

TMR2108性能参数 TA=25 °C，VCC=3.0 V

（1）桥路电阻，VCC端和GND端之间的电阻，或者V+端和V-之间的电阻；

（2）磁滞定义为磁场由-500 Gs上升至+500 Gs后回到-500 Gs，这两段磁场变化区间内，同一输出电压对应磁场强度差异的极大值；

（3）最低响应频率为0 Hz；

（4）T1= -25°C，T2=125°C；

（5）T1= -25°C，T2=125°C；

（6）T1= -25°C，T2=125°C。

TMR2108典型输出曲线 TMR2108性能参数 TA=25 °C，VCC=3.0 V TA=25 °C，VCC=1.0 V

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2023/3/22 - 选型指南

【选型】TMR线性磁传感器替代霍尔器件，可显著改善电流传感器的灵敏度和温度特性

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