【经验】SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器设计案例——输入电容/平衡电阻选型

2019-04-20 ROHM
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本文将介绍使用了“准谐振方式”电源IC的隔离型AC/DC转换器的设计案例。设计中使用的电源IC是ROHM的“BD7682FJ-LB”这款IC。BD7682FJ-LB是AC/DC转换器用的准谐振控制器,是全球首款*专为驱动SiC-MOSFET而优化的电源IC。转换电路采用准谐振方式,是利用变压器一次绕组的电感和谐振电容器的电压谐振的自激式反激转换器,通常损耗和噪声可以比PWM反激式转换器降得更低。


24V/1A隔离型准谐振转换器的设计案例电路

下面是设计案例的输入输出条件和电路图。将在该条件下计算电路部件的常数。

输出:24V、1A(24W)
输入:300~900VDC(400~690VAC)

关于输入,虽然具有DC电压输入和AC电压输入两种输入,但由于将AC输入电压整流后会成为DC电压,因此将根据DC输入电压值来设置常数。




主要部件选型:输入电容C2、C3、C4


下方电路图是从整个电路图中摘录的输入部分的电路。输入端的输入电容需要C2、C3、C4这3个电容。输入电容的容值通过下表来确定。



关于输入,如设计案例电路中所述,将AC输入电压整流后会变为DC电压,因此将根据DC输入电压值来设置常数。


输入电压规格:300~900VDC(400~690VAC) Pout=24V×1.1A=25W


根据上述规格,Cin为1×25=25µF,因此选择33µF的电容。

输入电容也与输入停止后的输入电压保持时间等有关,因此,也可根据这些相关规格来选择电容量。接下来,我们将探讨并来确定输入电容的耐压。从上面可以看出,这个电路是处理高电压的电路,要求输入电容具有高耐压特性。输入电容的耐压需要达到最大输入电压以上。最大输入电压按80%降额。最大输入电压/降额=900V/0.8=1125V


要想支持1125V,需要串联使用三个450V耐压的电容,从而获得450V×3=1350V的耐压。当然,整体上要获得33µF的电容量,各电容需要三倍的电容量,因此选择100µF/450V的电容。


主要部件选型:平衡电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6



为了获得所需的耐压,我们采用了串联连接电容的手法,但在这种情况下,需要保持施加到所有电容的电压均衡,因而需要与各电容并联连接平衡电阻。从电路图中可以看出,平衡电阻是串联在输入端和GND之间,因此流经平衡电阻的电流只是一种损耗,故建议选择470kΩ以上的电阻值。平衡电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6的损耗如下:


平衡电阻损耗(W)=最大输入电压×最大输入电压/平衡电阻的和

=900V×900V/(470k×6=2.82MΩ)=0.287W

综上所述,得出:

输入电容C2、C3、C4:100µF/450V

平衡电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6:470kΩ



关键要点:

・输入电容采用串联连接的方法,以获得所需的耐压。

・串联连接电容时,需要插入平衡电阻以确保施加于各电容的电压均衡。

・由于平衡电阻只是产生IR损耗,因此需要注意电阻值

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2019年03月  - 选型指南  - Ver.2.0 代理服务 技术支持 采购服务

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产品型号
品类
Grade
Controller Type
Vin1 (Min.)[V]
Vin1 (Max.)[V]
BR PIN
Temperature (Min.)[°C]
Temperature (Max.)[°C]
Package
BD7695FJ
AC/DC转换器
Standard
PFC
12V
38V
BR PIN
-40℃
105℃
SOP-J8

选型表  -  ROHM 立即选型

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不需要。 通过采用直接耦合方式,这样就无需在输入端子中设置用于截止电流的电容器。

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ROHM(罗姆)开关/IPD/多路转换器/逻辑IC选型指南(英文)

Automotive Standard Logic    Standard Logic    Serial-in/Parallel-out Drivers    USB Switch ICs    IPD (IPS)   

ROHM  -  智能低压侧开关,USB SWITCH ICS,串行输入/并行输出驱动器,MULTIPLEXER,串行/并行4输入驱动器,内置OVP MICRO USB开关,ANALOG SWITCH,HIGH SIDE SWITCH,INTELLIGENT POWER DEVICE,STANDARD LOGIC,LOGIC GATE,高侧开关,LOW SIDE SWITCH,标准逻辑,逻辑门,SMART LOW SIDE SWITCH,AUTOMOTIVE STANDARD LOGIC,汽车标准逻辑,FUNCTION LOGIC,智能电源装置,SMART HIGH SIDE SWITCH,多工器,BUILT-IN OVP MICRO USB SWITCH,低边开关,L-SHAPED PROTECTION SMART HIGH SIDE SWITCH,SERIAL/PARALLEL 2-INPUT DRIVERS,L型保护智能高压侧开关,功能逻辑,智能高压侧开关,串行/并行2输入驱动器,SERIAL/PARALLEL 4-INPUT DRIVERS,ANALOG SWITCH/ANALOG SWITCH,模拟开关/模拟开关,IPD,SERIAL-IN/PARALLEL-OUT DRIVERS,USB开关集成电路,BD1HD500HFN-C,BD7LS08G-C,BV2HD045EFU-C,BV1LB025EFJ-C,BU4030BF,BM2LB300FJ-C,BD7LS08,BD7LS07,BU4SU69,BD7LS04,BD7LS14,BU4S66,BD7LS97,BU4S584,BM2LC300FJ-C,BD7LS17G-C,BD7LS34G-C,BV1LC085EFJ-C,BV1LC300FJ-C,BD7LS125G-C,BU4SU69G2,BV1HD045EFJ-C,BM2LB110FJ-C,BD7LS17,BD1HC500EFJ-C,BM2LC120FJ-C,BV1LB028FPJ-C,BD1HC500HFN-C,BD11670GWL,BV1LB150FJ-C,BV1HJ045EFJ-C,BU4030B,BV1LC150EFJ-C,BU4051BCF,BU4S81G2,BD7LS34,BD7LS32,BU4S584G2,BH6260MWX,BV2HC045EFU-C,BU4S66G2,BD7LS125,BU4052BCFV,BU4S01G2,BU2152FS,BU4066BC,BU2092FV,BD8LB600FS-C,BD7LS00G-C,BD11600NUX,BD7LS14G-C,BU4551BFV,BD1LB500EFJ-C,BV2HD070EFU-C,BM2LC105FJ-C,BV1LF080EFJ-C,BD7LS04G-C,BD1HC500FVM-C,BV1LC300EFJ-C,BU4066BCF,BU4051BC,BD11601NUX,BU2090F,BU2050F,BU2098F,BV1LC105FJ-C,BU4066BCFV,BU4052BCF,BU4S71G2,BU4S11,BV1HL045EFJ-C,BV1LB010FPJ-C,BV1LA025EFJ-C,BD7LS02G-C,BU4551BF,BU4S81,BU4551B,BD1HD500FVM-C,BU4094BC,BU2099FV,BD8LA700EFV-C,BD7LS97G-C,BU4052BC,BU4S01,BD7LS32G-C,BD11603MWX,BV1LB085FJ-C,BD91411GW,BU2092F,BV1LB045FPJ-C,BV1LB300FJ-C,BU2090FS,BD1HD500EFJ-C,BD1LB500FVM-C,BU4S71,BU4094BCFV,BD7LS07G-C,BU4051BCFV,BD7LS02,BD7LS00,BV1HD090FJ-C,BM2LB150FJ-C,BU4S11G2

2022/8/3  - 选型指南  - Edition 2022 代理服务 技术支持 采购服务

SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET

本资料提供截至2016年8月1日的罗姆产品信息,包含产品规格和性能介绍。资料强调内容准确性,但不对因错误或打字差错导致的损失负责。资料内容不构成知识产权的准许使用承诺,且对于涉及外国汇兑及外国贸易法的产品或技术,需取得相应许可。

ROHM  -  SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE,工业用逆变器,半导体设备,太阳能发电,工业设备,测试设备

08.2016  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务

关于线性稳定器, 输入电容器的容量低于推荐值时,请告知注意事项。

如果输入电容器的电容值小于或等于推荐值,则输入侧的阻抗会变大,可能导致输出不稳定。电容器容量会根据温度特性、DC偏压特性、偏差等而减少,因此请将实际使用值设置在推荐值以上,并在实机上进行充分确认。

2024-07-30 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】ROHM(罗姆)MOSFET的寄生电容及其温度特性

本文主要介绍MOSFET存在寄生电容,寄生电容是影响开关特性的重要参数。ROHM功率MOSFET寄生电容对于温度影响几乎无变化,因此开关特性几乎不受温度变化的影响

2019-02-15 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务
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品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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