【产品】1200V 80mΩ SiC MOSFET IV1Q12080T3,采用TO247-3封装
IV1Q12080T3是瞻芯电子推出的1200V 80mΩ SiC MOSFET,采用TO247-3封装,可在-55到175℃范围内工作。它有着高压、低导通电阻、高速、寄生电容小等优良特性,可应用于光伏逆变器、UPS 电源等领域。
图1 产品图片和电路图
特点
高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
应用:
光伏逆变器
UPS 电源
电机驱动
高压 DC/DC 变换器
开关电源
最大额定值
电学特性
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS(V)
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RDS(ON) (mΩ)
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ID(TC=25°C)(A)
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VTH( TJ =25°C)(V)
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VTH( TJ =175°C)(V)
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Qg(nC)
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Operating Junction Temperature(°C)
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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