【产品】1200V 80mΩ SiC MOSFET IV1Q12080T3,采用TO247-3封装

2020-07-14 瞻芯电子
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IV1Q12080T3瞻芯电子推出的1200V 80mΩ SiC MOSFET,采用TO247-3封装,可在-55到175℃范围内工作。它有着高压、低导通电阻、高速、寄生电容小等优良特性,可应用于光伏逆变器、UPS 电源等领域。

图1 产品图片和电路图


特点

高压、低导通电阻 

高速、寄生电容小 

高工作结温 

快速恢复体二极管


应用: 

光伏逆变器 

UPS 电源 

电机驱动 

高压 DC/DC 变换器 

开关电源


最大额定值

电学特性


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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

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