【产品】1200V 80mΩ SiC MOSFET IV1Q12080T3，采用TO247-3封装
IV1Q12080T3是瞻芯电子推出的1200V 80mΩ SiC MOSFET，采用TO247-3封装，可在-55到175℃范围内工作。它有着高压、低导通电阻、高速、寄生电容小等优良特性，可应用于光伏逆变器、UPS 电源等领域。
图1 产品图片和电路图
特点
高压、低导通电阻
高速、寄生电容小
高工作结温
快速恢复体二极管
应用:
光伏逆变器
UPS 电源
电机驱动
高压 DC/DC 变换器
开关电源
最大额定值
电学特性
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瞻芯电子SiC MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
|
-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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