UMS发布新型0.15µm GaN Hemt制程GH15,特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用
在2019年巴黎的EuMW展会上,UMS发布了新的GaN Hemt技术——0.15µm GaN Hemt制程GH15。氮化镓功率密度结合SiC热耗散基底,使得GH15在30GHz时具有3.5W / mm的出色功率密度,特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用,并能够设计高功率,高线性度和高PAE产品。MMIC工艺包括MIM电容器,电感器,空气桥,金属电阻器,贯穿基板的通孔和两个用于互连的金属层。GH15设备库包括用于HPA,LNA,开关和肖特基二极管的晶体管的完整模型集。PDK包括非线性电热模型、噪声模型、二极管和开关模型、被动模型以及所有随附的关联库参数。
产品外观
功率密度特性曲线
时间性能曲线
GH15是以下设计的理想选择:
高频(高至Ka频段)、高功率、高PAE放大器
鲁棒型LNA
高功率开关
GH15的目标应用:
Pt-Pt无线电
5G
卫星通信
雷达
宽带放大器
高可靠性产品
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
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PAE(%)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
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17
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DC
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5
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DC
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DC
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115
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2.5
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Die
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选型表 - UMS 立即选型
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电子商城
品牌:UMS
品类:GaAs Monolithic Microwave IC
价格:¥169.1086
现货: 1,503
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