UMS发布新型0.15µm GaN Hemt制程GH15,特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用

2019-10-24 UMS
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在2019年巴黎的EuMW展会上,UMS发布了新的GaN Hemt技术——0.15µm GaN Hemt制程GH15。氮化镓功率密度结合SiC热耗散基底,使得GH15在30GHz时具有3.5W / mm的出色功率密度,特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用,并能够设计高功率,高线性度和高PAE产品。MMIC工艺包括MIM电容器,电感器,空气桥,金属电阻器,贯穿基板的通孔和两个用于互连的金属层。GH15设备库包括用于HPA,LNA,开关和肖特基二极管的晶体管的完整模型集。PDK包括非线性电热模型、噪声模型、二极管和开关模型、被动模型以及所有随附的关联库参数。

产品外观

 

功率密度特性曲线


时间性能曲线


GH15是以下设计的理想选择:

    高频(高至Ka频段)、高功率、高PAE放大器

    鲁棒型LNA

    高功率开关


GH15的目标应用:

    Pt-Pt无线电

    5G

    卫星通信

    雷达

    宽带放大器

    高可靠性产品


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 婉怡 Lv5. 技术专家 2019-11-21
    学习
  • WT20030220 Lv6. 高级专家 2019-11-19
    学习
  • Arvin.Wang Lv8. 研究员 2019-11-18
    学习
  • 明释 Lv5. 技术专家 2019-11-18
    学习
  • 橙橙 Lv4. 资深工程师 2019-11-18
    不错
  • 夏天的风 Lv6. 高级专家 2019-11-17
    学习
  • 先天二极管 Lv8. 研究员 2019-11-15
    学习学习
  • 用户56731903 Lv9. 科学家 2019-11-11
    不错啊!!!
  • 鹏鹏 Lv7. 资深专家 2019-11-07
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  • 用户43943018 Lv5. 技术专家 2019-11-07
    学习
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产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
低噪声放大器
80
105
17
DC
5
DC
DC
115
2.5
Die

选型表  -  UMS 立即选型

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