UMS发布新型0.15µm GaN Hemt制程GH15，特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用
在2019年巴黎的EuMW展会上，UMS发布了新的GaN Hemt技术——0.15µm GaN Hemt制程GH15。氮化镓功率密度结合SiC热耗散基底，使得GH15在30GHz时具有3.5W / mm的出色功率密度，特别适合频率高达35GHz的各种军事、航天和电信应用，并能够设计高功率，高线性度和高PAE产品。MMIC工艺包括MIM电容器，电感器，空气桥，金属电阻器，贯穿基板的通孔和两个用于互连的金属层。GH15设备库包括用于HPA，LNA，开关和肖特基二极管的晶体管的完整模型集。PDK包括非线性电热模型、噪声模型、二极管和开关模型、被动模型以及所有随附的关联库参数。
产品外观
功率密度特性曲线
时间性能曲线
GH15是以下设计的理想选择：
高频（高至Ka频段）、高功率、高PAE放大器
鲁棒型LNA
高功率开关
GH15的目标应用：
Pt-Pt无线电
5G
卫星通信
雷达
宽带放大器
高可靠性产品
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【技术】UMS的多款适用于E波段的倍频、混频与放大器，助力E波段backhaul发展
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UMS砷化镓，氮化镓工艺放大器的设计与分析
UMS是一家RF MMIC产品及晶圆代工服务的欧洲领导厂商，其工艺包括了砷化镓，氮化镓，锗硅，产品频率覆盖DC-100GHz，PA功率最高可达200W。 UMS的砷化镓，氮化镓工艺具体包括PH25、PH15、PH10，PPH25X 、PPH25、PPH15X，其5.5-6.5GHz Doherty PA ,功率可达20W，L波段GaN工艺功率放大器PA，功率达100W。
【技术】UMS高PAE、高线性性能GH15-10 MMIC GaN HEMT技术，入选欧洲航天局首选部件清单
UMS公司的GH15-10 MMIC GaN HEMT技术，具有高PAE和出色的线性性能，现已通过空间评估，入选欧洲航天局 (ESA) 制定的首选部件清单，非常适合用于无线通信（PtP、5G、FWR）、卫星通信、雷达和宽带多用途应用中。
UMS功率放大器（PA）选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.
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产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
|
选型表 - UMS 立即选型
鉴定报告UMS PCN_2023_003:Gelpak制造商搬迁（PCN_2023_003）
描述- 本报告为UMS PCN_2023_003的资格报告，主要涉及GelPak制造商的搬迁。报告概述了GelPak从美国搬迁至马来西亚的背景，包括外箱制造地点变更和Gel & Tray的生产地点变更。报告详细列出了适用的文件、资格测试结果和结论。测试结果显示，马来西亚制造地点的GelPak外箱成功通过了所有资格测试，未观察到当前和新的GelPak外箱之间存在差异。
通过UMS展现您的才华，通过UMS Foundry服务打造您成功的射频产品
描述- UMS Foundry提供2024/2025年度的共享晶圆厂服务，支持多种射频产品开发。服务包括GaN和GaAs器件，涵盖不同频率范围。提供多个提交截止日期，支持不同工艺流程。详情请访问UMS官方网站或联系相关邮箱获取更多信息。
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
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产品型号
|
品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
UMS 射频开关选型表
UMS 射频开关选型：RF Bandwidth (GHz)min：6-23，RF Bandwidth (GHz)max：4-26，Loss(dB)：0.5-2.9，P-1dB IN(dBm)：20-42.
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产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Loss(dB)
|
Isolation(dB)
|
Type
|
|
CHS2412-QDG/20
|
射频开关
|
23
|
26
|
2.9
|
35
|
Reflective
|
选型表 - UMS 立即选型
【元件】UMS新品24-30GHz中功率放大器CHA4396-QDG，非常适合各种微波应用和系统
近期，UMS发布了一款中功率放大器，频率为24-30GHz，型号为CHA4396-QDG。CHA4396-QDG是一款三级GaAs中等功率放大器，工作频率为24GHz至30GHz。该放大器可提供22dBm的最大输出功率和17%的功率附加效率，并在1dB增益压缩点提供21dBm的输出功率。该电路具有22dB的典型小信号增益和31dBm的输出三阶截取点。
UMS混频器/降频器选型表
UMS混频器/降频器选型：RF Bandwidth (GHz)min：5.5-76，RF Bandwidth (GHz)max：9-86，LO Bandwidth (GHz)-min：3-76，LO Bandwidth (GHz)-max：7.75-77，LO Input Power(dBm)：-4~15，Bias(mA)：1-380.
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产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
LO Bandwidth (GHz)min
|
LO Bandwidth (GHz)max
|
IF Bandwidth (GHz)min
|
IF Bandwidth (GHz)max
|
Conv. Gain(dB)
|
Noise Figure(dB)
|
P-1dB IN(dBm)
|
LO Input Power(dBm)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHR3762-QDG
|
降频器
|
5.5
|
9
|
4
|
12
|
DC
|
3.5
|
14
|
1.7
|
-5
|
5
|
100
|
3
|
QFN
|
选型表 - UMS 立即选型
UMS射频移相器选型表
UMS射频移相器选型：RF Bandwidth (GHz)-min：1.2-8.5，RF Bandwidth (GHz)-max：1.4-18，Number of Bits：4-6，Insertion Loss(dB)：-10~13，P-1dB IN(dBm)：3-26.
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产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)-min
|
RF Bandwidth (GHz)-max
|
Number of Bits
|
Phase range(°)
|
Insertion Loss(dB)
|
Phase Error(°p-p)
|
P-1dB IN(dBm)
|
Control voltage(V)
|
Case
|
|
CHP3010-QFG
|
射频移相器
|
1.2
|
1.4
|
6
|
360
|
7
|
-1/+3
|
24
|
0/3.3 or 5
|
QFN
|
选型表 - UMS 立即选型
金属丝网衬垫，医疗、电信和航空航天的导电气候密封优秀解决方案
金属丝网衬垫是由针织金属丝网和弹性体密封圈组成，凭借在需要防风雨密封、EMI屏蔽或产生雷击的应用中成功应用超过30年的成功记录，易密斯金属网垫已成为医疗、电信、屏蔽门暗室和航空航天等市场中多功能、经济的导电气候密封优秀解决方案。
UMS传感器/检测器/检波器选型表
UMS传感器/检测器/检波器选型：RF Bandwidth (GHz)min：5-24.5，RF Bandwidth (GHz)max：5.88-44，Bias(mA)：0.8-350，Bias(V)：3-18.4.
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产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain RX(dB)
|
Gain TX(dB)
|
Pout TX(dBm)
|
NF RX(dB)
|
Number of Bit Atten.
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHC2442-QPG
|
传感器
|
24
|
24.5
|
37
|
VCO incl.
|
13.5
|
11.5
|
5
|
225
|
3.3
|
QFN
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选型表 - UMS 立即选型
UMS数字衰减器选型表
UMS数字衰减器选型：Insertion Loss(dB)：2-7，Amplitude Control(dB)：15-31.5，P-1dB IN(dBm)：15-25，Number of Bits：4-6.
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产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Insertion Loss(dB)
|
Amplitude Control(dB)
|
P-1dB IN(dBm)
|
Control voltage（V）
|
Case
|
Number of Bits
|
Attenuation error (dB)-min
|
Attenuation error (dB)-max
|
|
CHT3029-QEG/20
|
数字衰减器
|
DC
|
35
|
4.5
|
15
|
20
|
0/3.3 or 5
|
Die
|
4
|
-0.5
|
0.5
|
选型表 - UMS 立即选型
电子商城
品牌：UMS
品类：GaAs Monolithic Microwave IC
价格：￥169.1086
现货： 1,503
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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