【产品】650V超结功率MOSFET TPA65R300/400MFD，集成超快体二极管，TO-220F封装
超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的一种用于高压功率MOSFET的革命性技术。多外延SJ MOSFET提供了极低的开关、通信和传导损耗器件，具有最高的稳健性。无锡紫光微电子的TPA65R300MFD和TPA65R400MFD 650V超结功率MOSFET，集成了超快体二极管，通过100%雪崩测试，具有低品质因数等特性，采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)，LLC半桥和充电器等领域。
图1 器件的的封装和内部电路
重要参数方面：器件的漏源电压VDS@Tj，max可达650V。TPA65R300MFD和TPA65R400MFD型漏-源导通电阻最大值分别为0.3Ω和0.4Ω；总栅极电荷的典型值分别为29nC和21nC；连续漏极电流最大额定值分别为15A和11A（TC=25℃条件下）；脉冲漏极电流最大额定值分别为45A和33A。
此外，器件的栅源电压最大额定值为±30V。器件的单脉冲雪崩能量最大额定值分别为290和215mJ，雪崩电流最大额定值分别为2.4A和1.8A。器件的工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。
产品特点：
超快体二极管
非常低的品质因数FOM RDS(on)*Qg；
100%雪崩测试；
易使用/驱动；
符合RoHS标准；
产品应用：
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(PFC)
LLC半桥
充电器
器件标记和封装信息：
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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