节能MOS管：低栅极电荷和低导通电阻，专为高压电路设计
Central Semi公司，世界顶级分立半导体制作商一直致力于设计、生产、制作创新产品。其推出的半导体CDM4-650是一款4A/650V的N沟道MOSFET，此款MOSFET专为高压设计，适用于PFC电路、固态照明和电力逆变器等应用。
在环境温度为 25°C时，CDM4-650 MOSFET漏源电压为650V，漏极连续电流为4A，开启电压典型值为3.4V，门极电荷典型值为11.4nC，输入电容为典型值为463pF，输出电容典型值为60pF，反馈电容典型值为1 pF，热阻ΘJC为1.62°C/W，ΘJA 为110 °C/W。
CDM4-650 MOSFET具有以下优势：
1）低导通电阻：CDM4-650的低导通电阻为2.44欧（典型值），低导通电阻为固态照明和逆变控制电器等应用实现了电源效率的改善。
2）低栅极电荷：CDM4-650的栅极电荷较低，仅为3.0nC。低栅极电荷MOSFET可简化栅极驱动设计。
3）低驱动电压
4）高功率密度
5）行业标准DPAK封装
应用：
• 功率因数校正（PFC）
• 固态照明
• 新能源逆变器
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