【选型】变频器辅助电源选择1700V的SiC MOSFET SCT2H12NY,有效提升效率

2021-03-31 世强
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变频器控制器控制部分MCU/模拟芯片供电需求辅助电源提供,低功率辅助电源基本采用反激拓扑方案,功率MOS作为原边开关管,该应用中对于MOSFET要求:

图1   变频器电源系统图


(1)380VAC 输入电源条件下,母线电压达到500/600V,同时反激变压器存在漏感,MOS管开关动作下会承受漏感尖峰,通常要求MOS管的耐压值达到1500V甚至更高;

(2)反激拓扑的主要功率损耗在于变压器损耗,原边开关管MOS管损耗以及副边同步整流损耗,原边MOS管损耗占总功率损耗很大部分,需求MOS管导通阻抗Rdson尽可能小以及开关损耗尽可能低;

(3)通用变频器市场需求量大,为了节省人工插件成本,最好选用贴片封装产品,有利于提高生产效率。


基于以上三点,推荐ROHM 1700V的SiC MOSFET SCT2H12NY应用,满足上述要求:

(1)SCT2H12NY 耐压达到1700V 适用于380V甚至更高压系统中,同时Rdson只有1150mΩ,大大降低了MOS管的导通损耗,同时SIC MOS输入电容对比于普通Si MOS小一个数量级,开关损耗也降低。

(2)SCT2H12NY采用的是TO268封装,对比TO247插件封装可以大大节省人工成本,提高生产效率。


同时SCT2H12NY对比与市面常见1500V Si MOS方案:

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SiC MOSFET 5kW 高效率无风扇逆变电路

描述- 采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路(1)、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中,平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的匝数减少、使铜损大幅度减少实现了高效率。在这份资料中,介绍这个全新的逆变器设计的例子。

型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD

应用笔记或设计指南  -  ROHM  - Rev.001  - 2021.10 PDF 中文 下载

ROHM 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available

ROHM has begun offering 4th Gen SiC MOSFET simulation models compatible with PSIM™, a circuit simulator designed for power electronics and motor drive developed by Altair®. Designers can now easily download model files to perform system-level evaluations, allowing for efficient design and evaluation across a wire range of industrial sectors, further promoting the use of power devices.

产品    发布时间 : 2024-08-02

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