【应用】罗姆场截止沟槽型IGBT用于激光脱毛仪，内置快速软恢复二极管，集电极电流Ic可达80A

时间： 2021-09-30 来源：世强

技术问答

白皙光洁的皮肤一直是人们追求的目标，但是因为个人体质的原因，有的人身上的毛发比较旺盛，但是这影响不了人们对美的追求，激光脱毛仪就是为了解决这样的需求而产生的。激光脱毛仪的原理是采用高功率的IGBT来驱动激光二极管发出激光并用滤波片滤除其他波长的激光，只留下590到1200nm波长的激光穿透皮肤，破坏毛囊，进而破坏毛发的生长。核心电路是主控控制IGBT驱动器，驱动IGBT给激光二极管供电，发出激光。其系统框图如下：

在激光脱毛仪上可采用ROHM的内置快速软恢复二极管的场截止沟槽型IGBT的RGTVX6TS65DGC11，因其具有如下优势：

• 低集电极-发射极饱和电压，饱和工作区域更宽；

• 高速开关和低开关损耗；

• 具备短路耐受时间2μs；

• 内置快速软恢复FRD，可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量，可以简化产品的整体设计；

• 无铅电镀；符合RoHS标准。

具体参数如下：

上述这些特性，非常适合激光脱毛仪的应用，目前也有用户在大批量使用，验证了其可靠性。如有相关行业用户，需要RGTVX6TS65DGC11样品测试的话，可以和世强联系，申请免费样品。

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