【应用】罗姆场截止沟槽型IGBT用于激光脱毛仪,内置快速软恢复二极管,集电极电流Ic可达80A

2021-09-30 世强
场截止沟槽型IGBT,RGTVX6TS65DGC11,ROHM 场截止沟槽型IGBT,RGTVX6TS65DGC11,ROHM 场截止沟槽型IGBT,RGTVX6TS65DGC11,ROHM 场截止沟槽型IGBT,RGTVX6TS65DGC11,ROHM

白皙光洁的皮肤一直是人们追求的目标,但是因为个人体质的原因,有的人身上的毛发比较旺盛,但是这影响不了人们对美的追求,激光脱毛仪就是为了解决这样的需求而产生的。激光脱毛仪的原理是采用高功率的IGBT来驱动激光二极管发出激光并用滤波片滤除其他波长的激光,只留下590到1200nm波长的激光穿透皮肤,破坏毛囊,进而破坏毛发的生长。核心电路是主控控制IGBT驱动器,驱动IGBT给激光二极管供电,发出激光。其系统框图如下:

在激光脱毛仪上可采用ROHM的内置快速软恢复二极管的场截止沟槽型IGBTRGTVX6TS65DGC11,因其具有如下优势:

•  低集电极-发射极饱和电压,饱和工作区域更宽;

•  高速开关和低开关损耗;

•  具备短路耐受时间2μs;

•  内置快速软恢复FRD,可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量,可以简化产品的整体设计;

•  无铅电镀;符合RoHS标准。


具体参数如下:

上述这些特性,非常适合激光脱毛仪的应用,目前也有用户在大批量使用,验证了其可靠性。如有相关行业用户,需要RGTVX6TS65DGC11样品测试的话,可以和世强联系,申请免费样品。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由壁虎提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【应用】场截止沟槽型IGBT助力小功率光伏逆变器,具有低导通损耗,短路耐受时间为2μs

在小功率光伏逆变器应用中,光伏板将太阳能转化为电能,经过滤波、升压、逆变等电路转换成能接入电网的交流电。在升压电路及逆变电路中,需要使用到功率IGBT进行控制,本文推荐ROHM的场截止沟槽型IGBT RGTVX6TS65DGC11。

应用方案    发布时间 : 2021-10-25

【应用】如何解决激光脱毛仪散热难题?推荐使用沃尔提莫35W/m.K超高导热系数的碳纤维导热垫片

使用国产品牌沃尔提莫35W/m.K高导热系数碳纤维导热垫片WT5935C-350-65有效解决激光美容仪散热难题。WT5935C-350-65使用取向碳纤维材料填充的硅橡胶制成,得益于碳纤维的高导热性能,定向排列的碳纤维能快速将热量从热源传递到冷面,相较于采用陶瓷颗粒填充硅橡胶制成的传统导热垫片(导热系数大多在10W/m.K),导热系数具有明显优势,足以应对高功率器件散热难题。

应用方案    发布时间 : 2023-03-10

【应用】鸿富诚H1000导热垫片用于激光脱毛仪散热,导热系数10W,出油率低于1%

鸿富诚H1000导热垫片是一款出油率低导热系数高的导热界面材料,其导热系数10W,出油率低于1%,能够快速的将激光器件的热量快速的传递到散热器,低出油率可极大降低对产品内部元件的污染,保证产品的使用寿命,本文将简要介绍。

应用方案    发布时间 : 2022-02-22

ROHM IGBT选型表

提供电压范围600-1800V,电流范围3-80A的IGBT单管(场截止沟槽型IGBT/Field Stop Trench IGBT)选型,8种行业标准封装,工业级和车规级产品。

产品型号
品类
电压(V)
电流(A)
封装
器件等级
RGS30TSX2GC11
Field Stop Trench IGBT
1200V
15A
TO-247N
Industrial Grade

选型表  -  ROHM 立即选型

【选型】ROHM 650V/80A的单管IGBT可P2P替代IKW75N60T/FGW75N60HD

RGTVX6TS65DGC11是ROHM 650V/80A的单管IGBT,当IKW75N60T和FGW75N60HD缺货时,可PIN-PIN替代。在标称的耐压和通流能力上更高,应用的安规和裕量更足,同样的驱动条件下开通需求的能量更低,适用更快的开关速率。

器件选型    发布时间 : 2021-02-27

【产品】650V/40A的场截止沟槽型IGBT RGTV80TS65,短路耐受时间为2μs

ROHM(罗姆)推出的一款场截止沟槽型IGBT RGTV80TS65,耐击穿电压最小值650V,耗散功率234W, 通流能力40A(Tc=100℃时),具有最低1.5V(集电极-发射极)饱和电压,采用TO-247N封装。

新产品    发布时间 : 2020-03-23

【产品】650V/40A的场截止沟槽型IGBT RGTV80TS65D,内置快速和软恢复FRD

ROHM(罗姆)推出的RGTV80TS65D是一款具有低集电极-发射极饱和电压,不含铅并符合RoHS标准的场截止沟槽型IGBT,具有开关速度快、开关损耗低,短路耐受时间为2μs,内置快速和软恢复FRD等优点,适用于太阳能逆变器、PFC(功率因素校正)等领域。

新产品    发布时间 : 2020-03-24

替代英飞凌IGBT,规格650V 15A的产品?

推荐ROHM场截止沟槽型IGBT RGT30NS65DGTL,主要参数:集射极阻断电压650V、饱和压降1.65V、集电极电流15A@100℃、功率耗散133W、封装TO-263S(LPDS),工作结温-40℃~+175℃。详细参数参见数据手册RGT30NS65D 650V 15A Field Stop Trench IGBT Data Sheet

技术问答    发布时间 : 2019-06-20

【产品】符合AEC-Q101标准的场截止沟槽型IGBT RGS50TSX2DHR,耐压值为1200V

RGS50TSX2DHR是ROHM推出的一款面向车载和工业设备领域、用于通用逆变器的场截止沟槽型IGBT,内置FRD。RGS50TSX2DHR的短路耐受时间为10μs,其中IGBT单体的结到外壳热阻最大值是0.38℃/W,二极管的结到外壳热阻最大值是0.80℃/W。

新产品    发布时间 : 2019-05-24

【产品】1200V/15A的场截止沟槽型IGBT RGS30TSX2,可用于PFC、UPS、IH和功率调节器

ROHM推出的场截止沟槽型IGBT RGS30TSX2,采用TO-247N的封装方式,符合RoHS标准。具有低集电极-发射极饱和电压,传导损耗低。短路承受时间可达10μs,工作结温范围为-40℃~+175℃,能够适应温度苛刻的环境。

新产品    发布时间 : 2021-03-30

【产品】650V/75A的场截止沟槽型IGBT RGWX5TS65,采用TO-247N封装

ROHM(罗姆)推出的RGWX5TS65是一款具有低集电极-发射极饱和电压,不含铅并符合RoHS标准的场截止沟槽型IGBT,采用TO-247N封装,具有开关速度快、开关损耗低等优点,适用于太阳能逆变器、PFC(功率因素校正)、UPS(不间断电源)、焊接机、IH(感应加热)等领域。

新产品    发布时间 : 2020-03-25

【产品】650V/75A的场截止沟槽型IGBT RGWX5TS65D,具有开关速度快、开关损耗低等优点

ROHM(罗姆)推出的RGWX5TS65D是一款具有低集电极-发射极饱和电压,不含铅并符合RoHS标准的场截止沟槽型IGBT,具有开关速度快、开关损耗低,内置快速和软恢复FRD等优点,适用于太阳能逆变器、PFC(功率因数校正)、UPS(不间断电源)、焊接机、IH(感应加热)等领域。

新产品    发布时间 : 2020-03-27

【产品】面向车载和工业设备通用逆变器的场截止沟槽型IGBT RGS30TSX2DHR

RGS30TSX2DHR是ROHM推出的适用于面向车载和工业设备通用逆变器的场截止沟槽型IGBT,短路耐受时间10μs,实现了低导通损耗,有助于应用的小型、高效化,符合AEC-Q101标准,内置快速软恢复FRD。

新产品    发布时间 : 2021-03-29

【产品】高可靠性场截止沟槽型IGBT RGS50TSX2HR,用于车载逆变器和加热器

RGS50TSX2HR是ROHM推出的一款出1200V、25A场截止沟槽型IGBT,是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。该产品的集电极-发射极饱和电压低,短路耐受时间为10μs,无铅且符合RoHS标准,用于车载逆变器和加热器。

新产品    发布时间 : 2019-05-18

【产品】低集电极-发射极饱和压降的场截止沟槽型IGBT RGT20TM65D,开关损耗低,工作温度范围广

RGT20TM65D是ROHM(罗姆)公司推出的低集电极-发射极饱和压降的场截止沟槽型IGBT,可用于通用变频器、UPS、功率调节器和焊机等场合。其集电极-发射极电压最大为650V,集电极电流6A(100℃),集电极-发射极饱和压降都仅有1.65V,最大功耗为25W。

新产品    发布时间 : 2019-06-25

展开更多

电子商城

查看更多

只看有货

品牌:ROHM

品类:晶体管

价格:¥30.8323

现货: 185

品牌:ROHM

品类:Diode

价格:¥0.0666

现货: 92,052

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥0.1859

现货: 69,603

品牌:ROHM

品类:Laser Diode

价格:¥18.5537

现货: 65,528

品牌:ROHM

品类:Laser Diode

价格:¥29.3050

现货: 60,263

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥0.4245

现货: 39,282

品牌:ROHM

品类:Zener Diode

价格:¥0.0862

现货: 38,422

品牌:ROHM

品类:DC/DC Converter

价格:¥0.9741

现货: 30,504

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥0.5368

现货: 23,000

品牌:ROHM

品类:Zener Diode

价格:¥0.0754

现货: 20,256

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:ROHM

品类:Transistor

价格:¥0.1295

现货:270,000

品牌:ROHM

品类:transistor

价格:¥0.1543

现货:250,000

品牌:ROHM

品类:Low-side switch

价格:¥5.8200

现货:200,000

品牌:ROHM

品类:Transistor

价格:¥0.7632

现货:200,000

品牌:ROHM

品类:EEPROM

价格:¥0.8136

现货:103,191

品牌:ROHM

品类:Comparators

价格:¥2.8000

现货:100,000

品牌:ROHM

品类:Regulators

价格:¥2.2632

现货:45,000

品牌:ROHM

品类:Operational Amplifier

价格:¥0.9289

现货:23,032

品牌:ROHM

品类:Regulators

价格:¥3.3000

现货:20,000

品牌:ROHM

品类:Regulators

价格:¥3.0600

现货:20,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

位移传感器量程定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

最小起订量: 1 提交需求>

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面