【应用】导通阻抗200mΩ、DFN8x8封装的650V GaN FET INN650D02助力PD快充高效率设计
PD快充,即能高效快速充电的电源适配器,可以短时间内补充手机、笔记本电脑、Pad等电子产品的电池电量。同时为方便携带,这就提出了小体积的要求;与传统的Si MOS相比体积更小的GaN FET作为主开关器件能够满足高效率小体积的PD快充产品设计,方案更具优势。
以下是同等功率下Si MOS和GaN FET用于PD快充在功率密度、效率及体积上的对比情况:
从上图可见,采用GaN FET的快充方案在体积上有明显的减小,功率密度和效率有提高,GaN应用方案优势显著。除此之外,在同样的Die尺寸下,GaN的Rds(on)只有Si MOS的一半,因此其导通损耗更低,有效提高产品性能。
英诺赛科的INN650D02就是一款基于硅基的增强型GaN FET,650V/11A,其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求。
INN650D02的导通阻抗仅200mΩ,可以实现低的导通损耗,提升PD快充的功率密度。
INN650D02采用超小封装DFN8x8,不仅降低了热阻,也大幅减小了PCB占板面积,利于高功率密度小体积的设计!
INN650D02的Qg=1.5nC,Qoss=13nC,与同样导通阻抗(200mΩ)的MOSFET相比,该值仅有其1/10,明显减小了驱动损耗以及变压器的磁损与铜损。
综上,采用英诺赛科低阻抗小封装的硅基增强型GaN FET INN650D02设计的PD快充方案,不仅能做到小体积、更可以有效提高功率密度及效率。
导通阻抗200mΩDFN8x8封装的650VGaNFETINN650D02助力PD快充高效率设计
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