【应用】导通阻抗200mΩ、DFN8x8封装的650V GaN FET INN650D02助力PD快充高效率设计

2020-04-28 世强
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PD快充,即能高效快速充电的电源适配器,可以短时间内补充手机、笔记本电脑、Pad等电子产品的电池电量。同时为方便携带,这就提出了小体积的要求;与传统的Si MOS相比体积更小的GaN FET作为主开关器件能够满足高效率小体积的PD快充产品设计,方案更具优势。


以下是同等功率下Si MOS和GaN FET用于PD快充在功率密度、效率及体积上的对比情况:

从上图可见,采用GaN FET的快充方案在体积上有明显的减小,功率密度和效率有提高,GaN应用方案优势显著。除此之外,在同样的Die尺寸下,GaN的Rds(on)只有Si MOS的一半,因此其导通损耗更低,有效提高产品性能。


英诺赛科INN650D02就是一款基于硅基的增强型GaN FET,650V/11A,其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求。

  • INN650D02的导通阻抗仅200mΩ,可以实现低的导通损耗,提升PD快充的功率密度。

  • INN650D02采用超小封装DFN8x8,不仅降低了热阻,也大幅减小了PCB占板面积,利于高功率密度小体积的设计!

  • INN650D02的Qg=1.5nC,Qoss=13nC,与同样导通阻抗(200mΩ)的MOSFET相比,该值仅有其1/10,明显减小了驱动损耗以及变压器的磁损与铜损。


综上,采用英诺赛科低阻抗小封装的硅基增强型GaN FET INN650D02设计的PD快充方案,不仅能做到小体积、更可以有效提高功率密度及效率。


导通阻抗200mΩDFN8x8封装的650VGaNFETINN650D02助力PD快充高效率设计

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亚成微电子专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司介绍

陕西亚成微电子股份有限公司,成立于2006年,是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,且是注册在西安高新区内的规模以上国家高新技术企业。研发覆盖半导体功率IC和功率器件两大类,主要产品包括包络跟踪射频功率放大器(ET-PA)、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及功率MOSFET等。产品可被广泛应用于无线通信、消费电子、汽车电子以及LED照明等多领域中。

亚成微电子  -  高频准谐振PSR控制器,氮化 镓驱动器,集成耗尽型启动管SJ MOS,E-MODE GAN FET直驱控制 ZVS反激芯片,等,功率MOSFET,高速小功率DC/DC,高压线性驱动IC,GAN FET 功率集成电源芯片,PSR 控制器,高功率密度AC/DC,高频ZVS控制器,超结MOSFET,半导体功率IC,包络跟踪射频功率放大器,TRENCH MOSFET,双绕组自供电反激控制器,CCM/QR反激式开关电源控制器,GAN功率器件,功率器件,AC/DC电源管理芯片,沟槽MOS管,LED驱动芯片,SR 控制器,ET,高功率DC/DC,高频QR/CCM混合模式控制器,SSR 控制器,包络追踪芯片,ZVS反激式开关电源控制器,ET-PA,高频同步整流控制器,集成高压启动电阻SJ MOS,RM9001DD,RM6801X,RM9001DC,RM9001DB,RM9001DA,RM9003B,RM9003A,RM9012GB,RM9010GB,RM9023,RM32XX,RM66040ND,RM34XX,RM6801S,RM9005AG,RM9005AE,RM335X系列,RM9005AC,RM6801X系列,RM9001AF,RM9001AE,MOS-RMX65R系列,RM9001AA,RM9012D,MOS-RMX65R,RM9012B,RM6820系列,RM9035X,RM335X,RM68XX,RM671X,RM343X,RMA65R650SN #2,RMA65R650SN #3,W*65R650 #1,W*65R650 #2,W*65R650 #3,RM6601X,RM9001D,RM6601X系列,RM343X系列,RM9001A,RM33XX,RMA65R650SN #1,RM9006AC,RM9006AB,RM6801SN,RM9010E,RM67XX系列,RM9010B,RM9026B,RM9006F,RM9006A,RM9026A,RM6820,RM65XX,RM63XX,RM67XX,电脑的辅助电源,PD/QC快充,多口充,车载充电机,消费电子,智能功率开关,储能逆变,TV电源,大功率PD快充,摄像机适配器,机顶盒电源,适配器,服务器的辅助电源,基站,5G通信设备,无线通信,PDA电源,PD快充,服务器电源,5G手机,充电桩,充电器,LED,LED照明,衬垫,PAD,工业电源,打印机适配器,发光二极管,手机快充,家电,通信电源,电源适配器,LED电源,大家电,汽车电子,数码相机,计算机电源

2022/1/13  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务

CS01001高频准谐振反激式氮化镓功率集成电路

CS01001是一款针对PD快充应用的高频QR功率开关,具备宽范围的VCC工作电压(9 ~ 90 V),适用于3.3 ~ 23 V的输出范围。它采用自适应多工作模式,有效提升工作效率,内置650V 480mΩ E-mode GaN FET,提供全面保护功能。

国科赛思  -  高频准谐振反激式氮化镓功率集成电路,高频 QR 功率开关,HIGH-FREQUENCY QUASI-RESONANT FLYBACK GAN POWER ICS,CS01001,DC PD 适配器,LED 驱动,高功率密度电源,AC PD 适配器,PD 快充应用

2023-7-31  - 数据手册  - Revision 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

GAN器件的应用场合一般有哪些?

GAN FET是新一代高开关频率的功率器件,其开关频率可达到上MHz。通常可以应用在激光雷达、高功率密度AC-DC、DC-DC电源,如手机充电器、通信电源模块等领域。推荐采用EPC或英诺赛科的GaN FET,可参考链接:Innoscience,EPC

2019-11-01 -  技术问答
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品牌:必易微

品类:ACDC 功率开关

价格:¥8.0000

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品牌:虹美功率半导体

品类:GaN FET

价格:¥5.7118

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品牌:虹美功率半导体

品类:GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:GaN FET

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品牌:Raytrons

品类:双向升降压转换器评估板

价格:¥450.0000

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品牌:Raytrons

品类:双向升/降压转换器评估板

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品牌:Raytrons

品类:GaN模组

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品牌:必易微

品类:功率开关

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品类:准谐振模式功率开关

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品牌:Raytrons

品类:双向升降压转换器评估板

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

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品牌:英诺赛科

品类:transistor

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

粘结钕铁硼磁铁定制

可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,

最小起订量: 1 提交需求>

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授权代理品牌:接插件及结构件

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授权代理品牌:部件、组件及配件

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授权代理品牌:电源及模块

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授权代理品牌:机械电子元件

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授权代理品牌:加工与定制

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