【应用】导通阻抗200mΩ、DFN8x8封装的650V GaN FET INN650D02助力PD快充高效率设计

时间： 2020-04-28 来源：世强

技术问答

PD快充，即能高效快速充电的电源适配器，可以短时间内补充手机、笔记本电脑、Pad等电子产品的电池电量。同时为方便携带，这就提出了小体积的要求；与传统的Si MOS相比体积更小的GaN FET作为主开关器件能够满足高效率小体积的PD快充产品设计，方案更具优势。

以下是同等功率下Si MOS和GaN FET用于PD快充在功率密度、效率及体积上的对比情况：

从上图可见，采用GaN FET的快充方案在体积上有明显的减小，功率密度和效率有提高，GaN应用方案优势显著。除此之外，在同样的Die尺寸下，GaN的Rds（on）只有Si MOS的一半，因此其导通损耗更低，有效提高产品性能。

英诺赛科的INN650D02就是一款基于硅基的增强型GaN FET，650V/11A，其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求。

INN650D02的导通阻抗仅200mΩ，可以实现低的导通损耗，提升PD快充的功率密度。
INN650D02采用超小封装DFN8x8，不仅降低了热阻，也大幅减小了PCB占板面积，利于高功率密度小体积的设计！
INN650D02的Qg=1.5nC，Qoss=13nC，与同样导通阻抗（200mΩ）的MOSFET相比，该值仅有其1/10，明显减小了驱动损耗以及变压器的磁损与铜损。

综上，采用英诺赛科低阻抗小封装的硅基增强型GaN FET INN650D02设计的PD快充方案，不仅能做到小体积、更可以有效提高功率密度及效率。

导通阻抗200mΩDFN8x8封装的650VGaNFETINN650D02助力PD快充高效率设计

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