【产品】650V GaN E-mode功率晶体管GHHS065400AD，静态漏源导通电阻低至340mΩ

时间： 2022-03-10 来源：时代速信

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GaN E-mode功率晶体管,功率GaN HEMT,GHHS065400AD,时代速信

时代速信推出的GHHS065400AD是一款基于专有增强型硅基氮化镓(E-mode GaN-on-silicon)技术的N沟道650V功率GaN HEMT。该产品具有极低的导通电阻、极低的输入电容和零反向恢复电荷，使其特别适合用于需要高功率密度、超高开关频率和高效率的应用。在V_GS=0V、V_DS=400V、F=1MHz时，其输入电容典型值为31pF，输出电容典型值为16.5pF，反向传输电容典型值为0.8pF。产品实物图和等效电路图如下。

产品特征

• 650V GaN E-mode功率晶体管

• 低静态漏源导通电阻：340mΩ（典型值，T_J=25℃）

• 零反向恢复电荷

• 产品尺寸为：5x6x0.85mm

• 最小化封装电感

产品应用

• AC-DC转换器

• DC-DC转换器

• 图腾柱PFC

• 快速电池充电

• 同步整流

• 高密度功率转换

• 高效功率转换

静态特性

绝对最大额定值

产品命名规则

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2024/3/11 - 华润微电子 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

时代速信（SDSX）GaAs&GaN射频芯片/Wi-Fi 6 芯片/硅基氮化镓(GaN on Si)功率芯片选型指南

目录- 公司简介基站射频解决方案低噪放和增益模块/功放/FEM和电力电子系列产品介绍

型号- GSL805,GSL809AD,TC5985,GSP2P204AL,GSL805AD,GSL802,GHHS065400AD,GSP3P604AL,GSP2P404AL,GSL809,GHHS065200AD,GSP1P904AL

2021年10月 - 时代速信 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

YHJ-65P080DA：（DFN 8x8）共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管规格书

描述- YHJ-65P080DA是一款采用级联配置的GaN HEMT器件，具有高耐压、高电流和高工作速度等特点，适用于高功率应用。该器件具有兼容的栅极驱动电压（-20V至+20V）、高工作频率和低Qrr特性。

型号- YHJ-65P080DA

2024/01/17 - 誉鸿锦 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

Wayon公司简介

描述- WAYON公司成立于1996年，专注于电路保护、功率半导体和IC产品。公司拥有超过1000名员工，研发团队超过200人，其中包括6名博士。公司销售额在过去几年中稳步增长，2022年达到200百万美金。WAYON在PPTC市场占有率全球第三，拥有超低钳位电压的ESD和EOS国际领先技术。公司产品涵盖电路保护、功率半导体和IC产品，广泛应用于多个行业。公司在中国拥有多个研发中心，并在全球设有销售和服务中心。

型号- WMK043N10HGS,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMO08N70EM,WMN26N65C4,WMK071N15HG2,WML25N50C4,WMO15N65F2,WMJ53N60F2,WMLL017N10HGS,WMJ30N80M3,WML26N65SR,WML10N70EM,WMB81N03T1,WMN10N65C4,WMO6N80D1,WMX10N80D1,WMJ13N80M3,WMN90R830S,WMM26N60C4,WMM12N80M3,WMM13N65EM,WMP08N95C2,WMQ50P03T1,WML10N70C4,WMJ12N105C2,WMM90R360S,WMK36N65F2,WM02DN560Q,WMX115N15HG2,WMK05N70MM,WMM3N150D1,WMO15N65C4,WMB076N06LG2,WMN18N50C4,WMP08N60C4,WMR050N03LG4,WMJ40N50D1,WMM6N90D1,EM 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2023/8/11 - WAYON - 商品及供应商介绍 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】无卤高性能AC-DC氮化镓电源管理芯片DK075G，峰值效率高达94.3%，极大简化设计和制造

东科半导体推出的高性能AC-DC氮化镓电源管理芯片DK075G是一款高度集成了650V/160mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK075G检测功率管漏极和源极之间的电压。

2022-09-02 - 产品代理服务技术支持采购服务

YHJ-65P080CF：（DFN 9.8x10.4）共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管数据表

描述- YHJ-65P080CF是一款采用Cascode配置的GaN HEMT器件，具有高断电电压、高电流和高工作速度，适用于高功率应用。该器件具有兼容的栅极驱动电压（-20V至+20V）、高工作频率和低Qrr特性。

型号- YHJ-65P080CF

2024/01/17 - 誉鸿锦 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

芯众享（成都）微电子有限公司（简称“芯众享”）是一家集第三代半导体功率器件研发、销售及应用系统于一体的高新技术企业。总部位于四川省成都市高新区，并先后设立了深圳营销中心和泉州应用中心。

碳化硅二极管碳化硅MOSFET 碳化硅功率模块 GaN HEMT SiC功率半导体器件碳化硅肖特基二极管平面栅碳化硅 MOSFET 平面MOSFET 电源管理芯片主控芯片同步整流芯片

代理服务线上商城技术资料

芯众享（CORENICS）SiC/GaN 功率器件选型指南

目录- 企业简介和资质证书产品命名规则碳化硅概述碳化硅SBD 碳化硅MOSFET 碳化硅功率模块氮化镓可靠性测试/应用领域应用方案

型号- CEB002D330R2G,CEB040M120R3G,CEB040D065R3G,CEB080M120R3V,CEB010D120V2G,CEB005D330R2G,CEB025M120R3G,CEB030M065R3G,CEB020D065R3G,CEB010D065O2G,CEB005D170R2G,CEB020D170R3G,CEB015D120R2G,CEB006D065V2G,CEB120M065R3G,CEB010D065S2G,CEB020D120S2G,CEB080M120R4G,CEB010D120R2G,CEB480N120MTV,CEB020D065R3V,CEB030D120R3V,CEB080M120R4V,CEB360N120MTV,CEB015D065R2G,CEB015D065V2G,CEB020D065R2G,CEC140G065DB8G,CEC150G065PDG,CEB030D120R3G,CEB060M065R3G,CEB600N120MTV,CEB020D065V2G,CEB1000M170R4G,CEB300N120HPV,CEB040D065R2G,CEB006D065BDG,CEB010D120R3G,CEB200N120EAG,CEB016M120R4G,CEB015D065R3G,CEB020D120V2G,CEB010D065V2G,CEB030D065R3G,CEB040D120R3G,CEB010D170R2G,CEB045M170R4G,CEB020D120R2G,CEB160M120R3G,CEB010D065R2G,CEB010D120S2G,CEB480N120HPV,CEC140G065BDG,CEB006D065S2G,CEB030D065R3V,CEB016M120R3G,CEB300N120EAG,CEB006D065O2G,CEB040D120R3V,CEB040M120R4V,CEB400N120EAG,CEB020D120R3V,CEB006D065DA8G,CEB015D065S2G,CEB025D170R2G,CEB030D065R2G,CEB040M120R4G,CEB020D065S2G,CEC140G065DA8G,CEB010D065BDG,CEB080M120R3G,CEB080M170R4G,CEB160M120R4G,CEB020D120R3G,CEB006D06502G,CEB015D120R3G,CEB040M120R3V,CEB010D065DB8G,CEB600N120HPV,CEB045M170R3G

2023/4/25 - 芯众享 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

YHJ-65P240AMC：DFN 8x8共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管数据手册

描述- YHJ-65P240AMC是一款采用级联配置的常关型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件，适用于高功率应用。该器件具有高击穿电压、高电流和高工作速度，兼容-20V至+20V的栅极驱动电压，适用于开关电源、AC-DC/DC-DC转换器和电机驱动等领域。

型号- YHJ-65P240AMC

2023/04/24 - 誉鸿锦 - 数据手册 - Version 0.2 代理服务技术支持采购服务

GLSD6P0060AT 60W，28V，DC-6GHz氮化镓射频晶体管

描述- 该资料介绍了GLSD6P0060AT是一款60W功率、28V工作电压的DC至6GHz频段的GaN射频晶体管。它是一种离散式的SiC衬底HEMT器件，具有低热阻封装，适用于连续波和脉冲操作。该产品在2300MHz频率下提供48.4dBm的输出功率（P3dB），线性增益为12.7dB。

型号- GLSD6P0060AT

2022/10/21 - 时代速信 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

卓越的氮化镓TP44100SG–90mΩ，650V氮化镓高电子迁移率晶体管

描述- 该资料介绍了TP44100SG是一款650V、90mΩ增强型功率GaN HEMT器件。它适用于多种PWM控制器，具有零反向恢复、可调开通斜率、高开关频率等特点。该器件可用于AC-DC、DC-DC、DC-AC转换器、PFC应用、高频LLC转换器、移动充电器和笔记本电脑适配器、LED和电机驱动等领域。

型号- TP44100SG,TP44100SG-EVB

2022-01-17 - 泰高 - 数据手册 - Revision 1.1 代理服务技术支持采购服务