【产品】650V SiC SBD P4D06020I2/P4D06010I2，符合AEC-Q101标准

时间： 2020-09-25 来源：派恩杰

技术问答

派恩杰的650V SiC SBD P4D06020I2、P4D06010I2，符合AEC-Q101和RoHS标准，无卤素添加。两款产品均采用TO-220I-2封装，具有零反向恢复电流和低正向压降，VF具有正温度系数，具有提高系统效率，减少散热器需求等使用优势，可用于消费级SMPS，PFC或DC/DC中的升压二极管，AC/DC变换器。

电气特性方面，P4D06020I2、P4D06010I2的反向重复峰值电压650V，连续正向电流分别为20A、10A，总电容电荷分别为52nC、26nC。

非重复正向峰值浪涌电流分别为44A、31A，浪涌保护性能出色。

Tc=25℃条件下，器件耗散功率74.6W和59W。

工作结温为-55~175℃，存储温度范围-55~175℃，符合工业级温度要求。器件结壳热阻值为2.01℃/W和2.53℃/W，散热性能较好。

Tj=25℃条件下，器件正向压降均为1.29V（典型值），反向电流典型值分别为20uA、12uA，二极管的导通损耗低。

产品优势

提高系统效率

减少散热器需求

基本上无开关损耗

无热失控并联器件

产品特点

符合AEC-Q101认证

超高速开关

零反向恢复电流

高频操作

低V_F

V_F具有正温度系数

全隔离封装直接散热

高浪涌电流

100%UIS测试

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Current Rating(A)	QC(nC)	IFRM@25℃(A)	Forward Voltage(VF(type)(V)	I(FSM)@25℃(A)
P3D06002E2	碳化硅二极管	650V	2A	4.72nC	10A	1.5V	18A