【产品】集电极-发射极饱和电压仅0.1V的互补硅晶体管,适用于低压大电流驱动器与开关应用
AUK作为KODENSHI(可天士)集团旗下品牌,专注于硅半导体,化合物半导体,光传感器领域,向全球提供国际水准的核心器件,广泛应用于家用电器,工业设备,IT产品等尖端数码技术产品。其中,硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多重功能,常用作放大器或电控开关。
DN030E、DP030E、DN030U、DP030U硅晶体管作为KODENSHI AUK公司推出的互补硅晶体管,DN030E和DN030U是NPN型,DP030E和DP030U是PNP型,其饱和电压较低,当IC=100mA,IB=10mA时,DN030E和DN030U集电极-发射极饱和压降的典型值VCE(SAT)为0.1V,当IC=-100mA,IB=-10mA时,DP030E和DP030U集电极-发射极饱和压降的典型值VCE(SAT)为-0.15V。其功率损耗较低,Ta为25℃时DN030E和DP030E的功耗PC为150mW,DN030U和DP030U的功耗PC为200mW,有利于驱动负载,消耗电能极少。
DN030E、DP030E、DN030U、DP030U互补硅晶体管封装尺寸不同,DN030E和DP030E采用SOT-523F封装,DN030U和DP030U采用SOT-323F封装,具体封装尺寸如下图(单位:mm),其中引脚连接分布为1-基极,2-发射极,3-集电极
图1 DN030E和DP030E互补硅晶体管封装尺寸示意图
图2 DN030U和DP030U互补硅晶体管封装尺寸示意图
DN030E、DP030E、DN030U、DP030U互补硅晶体管的特征频率较高,当VCE=5V, IE=10mA时,DN030E和DN030U的特征频率fT为300MHz,当VCE=-5V, IE=-10mA时,DP030E和DP030U的特征频率fT为350MHz,响应速度快,可做开关使用。当结温Tj为150℃,存储温度Tstg为-55~150℃,可以满足工业级温度要求,适用于高低温工作环境中。
集电极-基极击穿电压(最小值) | 集电极-发射极击穿电压(最小值) | 发射极-基极击穿电压(最小值) | 集电极截止电流(最大值) | 发射极截止电流(最大值) | |
DN030E | 15V | 12V | 5V | 0.1μA | 0.1μA |
DP030E | 15V | 12V | 5V | 0.1μA | 0.1μA |
DN030U | -15V | -12V | -5V | -0.1μA | -0.1μA |
DP030U | -15V | -12V | -5V | -0.1μA | -0.1μA |
表1 DN030E、DP030E、DN030U、DP030U互补硅晶体管的具体参数表
DN030E、DP030E、DN030U、DP030U互补硅晶体管的产品特点:
•极低的集电极-发射极饱和电压
•DN030E、DP030E互补配对,DN030U与DP030U互补配对
•适用于低压大电流驱动器
•适用于开关应用
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品牌:Central Semiconductor
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价格:¥1.5891
现货: 262
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提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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