【产品】700V/3.5A/1.1Ω的N沟道超结功率MOSFET RM4N700DF
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM4N700DF是丽正国际推出的一款N沟道超结功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极超级结技术，具有低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)的特点。超级结功率MOSFET满足工业领域AC-DC SMPS要求，可用于PFC, AC/DC 转换和工业电源应用。在VGS = 0 V条件下， 器件的漏源电压VDS 最大额定值为700V，漏源导通电阻RDS(ON)为1100mΩ（典型值），器件的连续漏极电流ID(DC)在TC=25℃条件下最大额定值为3.5A，在TC=100℃条件下最大额定值为2.2A。器件的工作结温和储存温度范围宽至-55~150℃。
图1、原理图
产品特性
•MOSFET采用新技术，可用于高压设备
•低导通电阻和低传输损耗
•小尺寸封装
•超低栅极电荷，因此驱动要求更低
•100%雪崩测试
•符合RoHS标准
•无卤素
应用领域
•功率因数校正(PFC)
•开关模式电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】700V/8A N沟道超结功率MOSFET RM8N700IP和RM8N700LD，适用于高压器件
丽正国际推出的RM8N700LD和RM8N700IP是两款N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，具有低栅极电荷和低导通电阻RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在Tc=25°C时，RM8N700LD和RM8N700IP漏源电压最大额定值为700V，漏极连续电流最大额定值为8A。
新产品 发布时间 : 2019-11-18
【产品】漏源电压800V、漏极连续电流5A的N沟道超结功率MOSFET RM5N800HD/TI/T2
丽正国际推出的RM5N800HD、RM5N800TI 和RM5N800T2是N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的超级结技术和设计，具有低栅极电荷和低RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
新产品 发布时间 : 2019-11-16
【产品】650V/7.5A N沟道超结功率MOSFET RM8N650DF，具有低栅极电荷和低RDS（ON）的优点
丽正国际推出的RM8N650DF是N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的超级结技术和设计，具有低栅极电荷和低RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
新产品 发布时间 : 2019-11-17
CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJD380R70N,CSJF380R70N,CSJI380R70N
CWS60R090A 600V N-Channel Super Junction powerMOSFET
型号- CWS60R090AZ,CWS60R090AF,CWS60R090AC,CWS60R090A
CSJD280R65N THRU CSJF280R65N 650V 15A 0.28Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD280R65N THRU CSJF280R65N 650V 15A 0.28Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJI280R65N,CSJF280R65N,CSJD280R65N
CSJD380R65N THRU CSJF380R65N 650V 11A 0.38Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD380R65N THRU CSJF380R65N 650V 11A 0.38Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJF380R65N,CSJD380R65N,CSJI380R65N
CWS55R140B 550V N-Channel Super Junction power MOSFET
型号- CWS55R140BXR,CWS55R140BZ,CWS55R140B,CWS55R140BC,CWS55R140BF
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论