【产品】ROHM新开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET SCT3xxx xR系列,开关损耗降低约35%

2019-09-27 ROHM
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全球知名半导体制造商ROHM(罗姆),开发出6款沟槽栅结构※1SiC MOSFETSCT3xxx xR系列”产品(650V / 1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。

此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。


另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。


本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产。


近年来,随着AI和IoT的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此同时,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。


2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产,并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。


<特点>

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。


此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。


<产品阵容>

SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型,其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。


<应用>

服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。


<评估板信息>

SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境,该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品,还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外,使用该评估板,可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。


评估板的构成


<术语解说>

※1 沟槽栅结构

沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。


※2 电感分量

表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。


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型号- BD7673AG,BD768XFJ,UDZGVTE-1713B,RFV12TG6S,BM2P141W,R6009JND3,BM1P105FJ,BM2P141X,KN 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B2M080120R SiC MOSFET

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数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.1  - 2024-07-12 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev1.0  - Sep. 2020 PDF 英文 下载 查看更多版本

SMC 1700V SiC MOSFET用于中功率新能源,两级拓扑更简单,效率、功率密度、可靠性提升

高电压SiC MOSFET在低功率辅助电源的应用带来了诸多收益。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。目前,SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划,并将于2024年下半年实现大批量量产。

应用方案    发布时间 : 2024-06-05

B2M030120R SiC MOSFET

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