【产品】100V中压MOS管SL80N10，采用TO-220封装，导通电阻低至6.6mΩ
本文要为大家介绍的是萨科微SLKOR中压MOS管SL80N10。萨科微SL80N10是一款中压MOS管，采用碳化硅功率器件技术，主要应用于电源开关、电机驱动器、DC-DC转换器等高功率应用领域，具有广泛的应用前景。
萨科微SLKOR中压MOS管SL80N10产品图
MOS管特点
MOS管作为金氧半场效晶体管，具有输入阻抗非常高的特点，因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物，甚至可达上亿欧姆，所以它的输入几乎不取电流，可以用作电子开关。还有导通电阻低，可以做到几个毫欧的电阻，极低的传导损耗，开关速度快，开关损耗低，特别适应PWM输出模式等特点。
应用难点
MOS管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。但是，MOS管在具体应用时也存在一些局限性，主要包括温度限制、电压限制、电流限制、频率限制等，温度限制指MOS管在工作时会产生大量的热量，这是由于MOS管内部存在导通电阻和开关损耗等因素。如果不能及时地散热，会导致MOS管的温度升高，从而影响其性能和寿命。
解决方案
SL80N10是一款中压N沟道MOS管，具有漏源电压100V，连续漏极电流80A的特点，适用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小，具有良好的开关性能和瞬态特性。它采用TO-220封装，适用于高功率应用。
萨科微SLKOR中压MOS管SL80N10产品图
SL80N10的导通电阻低，导通电阻（RDS（on）@Vgs，Id）为6.6mΩ@10V/40A，输入电容小，输入电容（Ciss@Vds）为3.32nF@50V，反向传输电容小，反向传输电容（Crss@Vds）为20pF@50V。导通电阻低，即在导通状态下，电流通过MOS管时，其电阻很小，只有6.6mΩ，用电时MOS管能够承受高电流而不会过热。输入端电容和反向传输电容小，有利于MOS管能够快速响应输入信号。这些特点使得SL80N10具有良好的开关性能和瞬态特性，适用于高频率应用和需要快速开关的应用场合。
萨科微SLKOR中压MOS管SL80N10相关参数
SL80N10的阈值电压为2.3V@250μA，栅极电荷为45nC@10V。此外，它采用TO-220封装，适用于高功率应用。该封装能够有效地散热，这是由于这种封装的设计特点。这类型封装的MOS管具有较大的散热面积和散热片，能够将MOS管产生的热量快速地散发出去，从而保持MOS管的温度在合理的范围内，确保MOS管能够在高温环境下正常工作。因而SL80N10的工作温度范围为-55℃~+175℃@（Tj），能够适应各种环境。
总之，SL80N10是一款适用于高功率应用的中压N沟道MOS管。它具有导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小、良好的开关性能和瞬态特性等特点，适用于高频率应用和需要快速开关的应用场合，可以广泛应用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等领域。
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