【产品】电容仅为0.6pF、超小DFN2510封装瞬态电压抑制器GESD0514P,专为保护高速数据接口而设

2019-01-24 高特
低电容瞬态电压抑制器,DFN2510瞬态电压抑制器,微型瞬态电压抑制器,ESD保护阵列 低电容瞬态电压抑制器,DFN2510瞬态电压抑制器,微型瞬态电压抑制器,ESD保护阵列 低电容瞬态电压抑制器,DFN2510瞬态电压抑制器,微型瞬态电压抑制器,ESD保护阵列 低电容瞬态电压抑制器,DFN2510瞬态电压抑制器,微型瞬态电压抑制器,ESD保护阵列

高特半导体(GoalTop)是一家专注于ESD/TVS防护器件,快恢复二极管,超低正向压降肖特基二极管等产品的高新技术企业。GESD0514P是其推出的一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计,该产品的典型电容仅为0.6pF,旨在保护寄生敏感系统免受过压和过流瞬态事件的影响。 它符合IEC 61000-4-2(ESD),4级(±15kV空气放电,±8kV接触放电),IEC 61000-4-4(电快速瞬变 -  EFT)(40A,5/50 ns),快速充电设备模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等。


图1    GESD0514P产品图


每个GESD0514P器件都可以保护四条高速数据线。 超低电容,超小尺寸和高ESD稳健性的综合功能使GESD0514P成为高速数据端口和高频线路(如HDMI和DVI)应用的理想选择,且低钳位电压可确保受保护IC的压力最小。


GESD0514P采用超小型DFN2510封装,无卤素材料,卷带包装,卷尺寸为7英寸,可燃性等级为UL 94V-0,端子:哑光镀锡,高温焊接温度条件为260℃(10s)。


电气特性方面,绝对最大额定值下,ESD静电防护IEC 61000-4-2(空气放电)的VESD±25kVIEC 61000-4-2(接触放电)的VESD±17kV,工作温度为-55℃~+125℃,储存温度为-55℃~+150℃。25℃下的具体电气参数如图。


GESD0514P瞬态电压抑制器(TVS)阵列的产品特性:

•高速数据线的瞬态保护

    IEC 61000-4-2(ESD)±25kV(空气放电),±17kV(接触放电)

    IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50 ns)

    电缆放电事件(CDE)

•针对高速线路进行优化的封装

•超小封装(2.5mm×1.0mm×0.55mm)

•保护四条数据线

低电容:0.6pF

低漏电流:0.1μA

•低钳位电压

每个I / O引脚可承受超过1000次ESD冲击,实现±8KV接触放电


GESD0514P瞬态电压抑制器(TVS)阵列的应用:

串行ATA
PCI Express
台式机,服务器和笔记本电脑
MDDI端口
USB 2.0 / 3.0电源和数据线保护
显示端口
高清多媒体接口(HDMI)
数字视频接口(DVI

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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