【产品】磁传感器芯片AMR2302、AMR2501，本底噪声低至400pT/√Hz@1Hz、150pT/√Hz@1Hz
多维科技有限公司的AMR2302、AMR2501系列，是高性能低噪声各向异性磁阻（AMR）线性磁传感器芯片。这一系列产品采用多维科技自主研发的特种坡莫合金材料及特殊的工艺流程制成，大大降低了芯片的本底噪声，AMR2501可以实现本底噪声密度150pT/Hz1/2（@1Hz），AMR2302可以实现本底噪声密度400pT/HzHz1/2（@1Hz）。
图1 AMR2302 左和AMR2501右
AMR2302采用了两个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含X/Y双轴各四个高灵敏度AMR传感器元件，标准的SOP16封装形式，测量范围达到±10Gs；AMR2501采用了单推挽式惠斯通全桥结构设计，包含单轴四个高灵敏度AMR传感器元件，采用了DFN5X6 -16L的超小封装形式，测量范围达到±4Gs，灵敏度达到2.1mV/V/Gs。AMR2302、AMR2501线性磁场传感器芯片都有着极宽的工作磁场及工作电压范围，同时有极低的磁滞特性，可以满足各种微弱磁场检测、电流传感器、位置传感器、交通流量检测等应用的要求。
图2 性能曲线
产品特性
基于各向异性磁电阻(AMR) 技术
低本底噪声：AMR2302（400pT/√Hz@1Hz ）；AMR2501 （150pT/√Hz@1Hz）
宽工作磁场范围（AMR2302）
宽工作电压范围
优越的温度稳定性
低成本
低磁滞
小尺寸封装 （AMR2501）
典型应用
微弱磁场检测
电流传感器
位置传感器
导航系统
罗盘定向
交通流量检测
磁强计
磁开关传感器
实时海洋流向测量（AMR2302）
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多维科技传感器芯片选型表
多维科技传感器芯片选型表提供TMR磁开关传感器芯片，TMR角度传感器芯片，TMR线性磁场传感器芯片，TMR齿轮传感器芯片，AMR磁开关传感器芯片，AMR角度传感器芯片，AMR线性磁场传感器芯片，AMR磁栅传感器芯片，薄膜型温度传感器芯片选型，基于单极、双极锁存、全极等类型，0~40V供电电压等、多种输出接口和敏感方向等。
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产品型号
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品类
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兼容型号
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类型
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供电电压（V）
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功耗（nA、μA、mA）
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工作模式
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敏感方向
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B_op(Gs,25°C)(Gs)
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B_rp(Gs,25°C)(Gs)
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输出接口
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封装形式
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TMR1102
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TMR磁开关传感器芯片
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—
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单极
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1.8～5.5 V
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1.5μA
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连续供电
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X轴
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17
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13
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CMOS
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SOT23-3
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选型表 - 多维科技 立即选型
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产品型号
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品类
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供电电压(V)
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灵敏度 (mV/V/Gs)
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电阻 (kΩ)
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饱和场(Gs)
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敏感方向
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磁滞 (Gs)
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本底噪声 (nT/rt(Hz) @1Hz)
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封装形式
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AMR2302
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AMR线性磁场传感器芯片
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1～12 V
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0.7
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0.75
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±10
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X/Y轴
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0.05
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0.4
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SOP16
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授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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