【产品】4款900V快速切换N沟道MOSFET TMX2N90HG系列，100%雪崩测试

时间： 2019-10-26 来源：无锡紫光微电子

技术问答

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA2N90HG，TMD2N90HG，TMP2N90HG和TMU2N90HG的MOSFET。分别采用TO-220F，TO-252，TO-220和TO-251的封装方式。

TMX2N90HG系列的特点：

•快速切换

•100%雪崩测试

•改进的dv / dt功能

TMX2N90HG系列的应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

TMX2N90HG系列的封装和内部电路：

TMX2N90HG系列的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为900V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为8A，重复雪崩能量最大额定值为7.1mJ。连续漏极电流最大额定值为2A。单脉冲雪崩能量最大额定值为108mJ，雪崩电流最大额定值为2A，具有较好的抗浪涌性。

TMX2N90HG系列的标记和封的装信息：

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全部评论（2）

小史 Lv4. 资深工程师 2019-10-27

学习了
用户56731903 Lv9. 科学家 2019-10-27

学习一下！！！

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