【经验】选型时如何计算IGBT吸收电路中薄膜电容的最大纹波电流参数?

2020-06-26 世强
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薄膜电容是IGBT吸收电路设计中最常见的吸收电容,无论是母线的支撑电容,还是IGBT两端的吸收电容,都会用到薄膜电容。选型时,电容的纹波电流是一个重要参数,而规格书有时候没有给出相关的纹波电流参数,本文将结合WIMAsnubber MKP系列电容,介绍一下如何计算IGBT吸收电路中薄膜电容的最大纹波电流参数。


如图1所示,是一个典型的IGBT的逆变电路,CDC-LINK和CSnubber分别是母线支撑电容和IGBT吸收电容。由于IGBT的快速开关工作会产生电压过冲和纹波,因此吸收电容需要评估它的最大纹波电流参数。WIMA推出Snubber MKP系列薄膜电容主要应用便是IGBT的吸收电路,而此规格书并没有给出最大纹波电流参数,因此需要根据规格书中参数和曲线图来计算出此参数。

图1 典型的IGBT的逆变吸收电路示意图


通常我们会按照下列公式来计算出纹波电流参数:

IRMS=1.414*URMS*2πfc

由上式可以看出,纹波电流除了和本身的容值有关之外,还和IGBT的开关频率以及纹波电压有关,在规格书中一般会给出两者之间的关系曲线图。接下来,以WIMA的Snubber MKP系列薄膜电容SNMPU032207D1IKS00(0.22uF/2000V)薄膜电容为例,如图2所示,是该电容的URMS-f曲线图,当频率为10kHz时,0.22uF对应的纹波电压为400V,代入上述公式可以得出电容所能承受的最大纹波电流:

IRMS=1.414*400*2*3.14*10*103*0.22*10-6=7.81A

图2 SNMPU032207D1IKS00的URMS-f曲线示意图


总的来说,要想得出IGBT吸收电路中薄膜电容的最大纹波电流参数,除了电容本身容值之外,IGBT的开关频率和纹波电压也是决定其大小的重要因素。

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型号- FKP 1,MKP 4,MKP 10,FKP 1 SERIES,MKP 10 SERIES

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