【产品】规格为-60V/-80A的P沟道增强型场效应晶体管YJG80GP06B，适用于便携式设备
扬杰科技推出了一款采用PDFN5060-8L封装的P沟道增强型场效应晶体管——YJG80GP06B，该产品采用分离栅沟槽MOSFET技术，符合RoHS标准，可用于电源管理和便携式设备。
产品外观和内部电路图
产品概要：
漏源电压为-60V
漏极电流为-80A
漏源通态电阻RDS(ON)＜8 mΩ ( VGS=-10V)
通过100% EAS 测试
通过100% ▽VDS测试
概述：
分离栅沟槽MOSFET技术
低RDS(ON)和FOM
优异的稳定性和均匀性
湿度敏感度为3级
环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级
无卤素
应用：
电源管理
便携式设备
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
电气特性(TJ=25℃，除非特别说明)：
热阻：
订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】-20V/-16A P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，封装为DFN2020-6L
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，采用沟槽式场效应管技术，使用高密度单元设计，具有低的RDS（ON），可高速开关。该产品采用DFN2020-6L的封装，漏源电压为-20V，漏极电流为-16A（TA=25℃时）。
新产品 发布时间 : 2020-06-03
【产品】-30V/-7.0A的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL，采用SOT-23-3L封装
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL，采用SOT-23-3L封装，漏源电压为-30V，漏极电流为-7.0A（TA=25℃时）。该产品采用沟槽低压功率MOSFET技术，使用高密度单元设计，因此有低的RDS（ON）。
新产品 发布时间 : 2020-02-13
电子商城
品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论