【产品】规格为-60V/-80A的P沟道增强型场效应晶体管YJG80GP06B，适用于便携式设备
扬杰科技推出了一款采用PDFN5060-8L封装的P沟道增强型场效应晶体管——YJG80GP06B，该产品采用分离栅沟槽MOSFET技术，符合RoHS标准，可用于电源管理和便携式设备。
产品外观和内部电路图
产品概要：
漏源电压为-60V
漏极电流为-80A
漏源通态电阻RDS(ON)＜8 mΩ ( VGS=-10V)
通过100% EAS 测试
通过100% ▽VDS测试
概述：
分离栅沟槽MOSFET技术
低RDS(ON)和FOM
优异的稳定性和均匀性
湿度敏感度为3级
环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级
无卤素
应用：
电源管理
便携式设备
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
电气特性(TJ=25℃，除非特别说明)：
热阻：
订购信息：
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电子商城
品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
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