【产品】规格为-60V/-80A的P沟道增强型场效应晶体管YJG80GP06B，适用于便携式设备

2022-06-02 扬杰科技
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扬杰科技推出了一款采用PDFN5060-8L封装的P沟道增强型场效应晶体管——YJG80GP06B，该产品采用分离栅沟槽MOSFET技术，符合RoHS标准，可用于电源管理和便携式设备。

产品外观和内部电路图

产品概要：

    漏源电压为-60V

    漏极电流为-80A

    漏源通态电阻RDS(ON)＜8 mΩ ( VGS=-10V)

    通过100% EAS 测试
    通过100% ▽VDS测试


概述：

    分离栅沟槽MOSFET技术

    低RDS(ON)和FOM

    优异的稳定性和均匀性

    湿度敏感度为3级

    环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级

    无卤素


应用：

    电源管理

    便携式设备


最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：

电气特性(TJ=25℃，除非特别说明)：

热阻：

订购信息：

技术顾问：砌墙的小熊
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道：世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供：世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应：世强硬创平台www.sekorm.com
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P沟道增强型场效应晶体管 电源管理 便携式设备 YJG80GP06B 扬杰科技 管状电机

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产品型号
品类
Package
Status
ESD
Configuration
Type
VDSS(V)
ID(A)
PD(W)
VGS(V)
Tj(℃）
Vth_Typ(V)
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
Ciss_Typ(pF)
Coss_Typ(pF)
Crss_Typ(pF)
Qg_Typ(nC)
Grade
2N7002
MOSFET
SOT-23
Active
No
Single
N
60
0.34
0.35
±20
150
1.5
1200
2500
1300
3000
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