【选型】电控制板中成功替代P沟道MOS管AOS AO3401的30V/4.4A AS3401，参数基本一致、且不用改板
Anbon（安邦）AS3401是一颗30V/4.4A的P channel MOSFET，得益于这个参数设计，AS3401被广泛应用于家电控制板、车载导航中。
在2020下半年，MOS芯片短缺的情况下，不少客户将目光转向国产替代。在这个期间，本文推荐的AS3401成功替代了某一家电控制板案子的AOS（万国半导体）AO3401。
AS3401采用标准的SOT-23封装，与大多数欧美品牌的SOT-23封装尺寸接近，替代时无需考虑改板等问题，实现了pin-to-pin替代，具体封装图如下。
MOS管的替代首先需要考虑的VDS，AS3401以及AO3401均为P沟道MOS管，电压为-30V。对比两者的ID以及RDS(on)，AS3401的参数均略大于AO3401，在实际的替代过程中，此差异无明显影响，亦不会造成功耗的增高。MOS管的VGS(th)亦是一个很重要的参数，VGS(th)是开启电压。如果一个MOS管的VGS(th)不合适，后端的电路会受到影响，可能会导致后端电路不工作等问题。在处理客诉的过程中，安邦发现VGS(th)不合适也是导致应用出现问题的一大原因。对比AS3401以及AO3401的VGS(th)，两者基本一致。比对参数后，可以判定AS3401能够替代AO3401。在实际中，客户的成功验证也证明了安邦的结论。
除AS3401，Anbon（安邦）AS34系列的MOS管还涵盖以下型号。
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【选型】安邦（ANBON）MOSFET选型指南
目录- MOSFET特点&电性参数&注意事项 AS MOSFET选型表&封装
型号- AON2405,AS50N03GS,AS3422,AG135N10S,AO3407,AT40N20S,AS2101W,AO3401,AO4612,AS05N15AS,AF4N60S,AO3400,AON6576,SI3457CDV,AO4294,BSS123W,SI2343CDS,AS6005S,AO6808,AD50N03S,AO3414,AD10N10S,SUD50N04-8M8P,AS6385,AP75N65S,AT7N65S,BSS84E,AS3007S,SI4850BDY,SIS903DN,SI2319CDS,AOT4N60,AS7328S,AD24N20S,SI2393DS,AOTF10N60,AS30P15S,AOI4N60,SIHFIBC20G,AD20N06S,AOD66616,AONS66920,AP21N65S,AS2003M,AON6234,SI7139DP,SI7460DP,SUP90330E,SI4559EY,AS3018S,AU4N65S,AS45P02S,AOT2500L,SI3474DV,AD1N60S,AO4842,SI2367DS,AF7N60S,AD50N06S,SI1330EDL,SIHFIBC40GLC,AS30P02S,AS3139E,AS3018E,AT150N06S,SI4925DDY,AD120N06S,IRFRC20,AS6008S,IRFIBC40GLC,AOB1100L,AS53N06S,SI2308CDS,AD90N03S,SIHFZ44R,SIHG64N65E,AS1090E,AS2002E,AS3621,AS80N06S,SIR106DP,AS100N03S,IRFBC30AL,AO4419,AOB290L,AF5N60S,IRFBC30AS,SI4848ADY,SUD19P06-60,AS30N03S,AS4612S,SIHFBC30AS,AS4406S,AOD2916,AOTS21115C,AONS21357,AT17N10S,AS2301,AOD536,AS2302,AOB2904,AS2304,AOD417,AS2300,AS2309,AO6608,AS2305,AONS32304,AOD4N60,AO4421,AS3415FL,SIR182DP,SUP80090E,AS150N06S,SI1317DL,SI4431CDY,AS4407S,AO3451,SUD50P04-09L,AON7292,AS2312,AS3401,AS6005RS,AD4N60S,AS3404,AOD409,AOT412,AOD407,AS2310,SIS402DN,AS3400,AW1N60S,AU4N60S,AS1012ET,AOI296A,AS3407M,AS60N10S,AS2318,AS3407,AS2002ED,AS4953S,AO3420,AO3422,AS90N04S,AD25P06S,AD40N15S,SUP70060E,SIS890DN,AS2324,AT10N65S,AT80N06S,SI4425DDY,AOD516,AOH3106,AO3435,AO4405,SUD35N10-26P,AOD294A,AD80P04S,AG120N08S,AS2002EW,AOT266L,AS2002EU,AS3720S,2N7002E,AS9926,SI2365EDS,AS20N06S,SIS447DN,AD30P03S,AG4N60S,AS3134E,AOTF12N65,AF7N65S,AD15N10S,AO4459,AO4576,SIHF540,AO4407A,AON7400A,AS9435S,AS40P13S,2N7002M,2N7002K,AD60N04S,AOD478,SIRA58DP,AOT7N65,AS3622S,IRF540,AD78N10S,AT140N15S,AOD4184A,AS4666FL,AU78N10S,AO6405,AD80N04S,SIHG28N65EF,AOD296A,AONS66614,AOU4N60,AF20N65S,SI4946CDY,AS3416E,AD50P06S,AF2N60S,AO3494,AO3495,AOT482L,SI2323CDS,AT50P06S,AS3018EW,SUD25N15-52,AS2026EQ,AOSP32314,AS6012S,AD70P04S,AT210N75S,AT95N08S,AF10N60S,IRFIB6N60A,AOTF18N65,2N7002ET,AS3415E,2N7002EU,BSS84,IRFIBC20G,AS4375,AS20N04S,2N7002EW,2N7002ED,AT4N60S,AK4N60S,AO3404A,AS50N03S,AP38N65S,AOD5585,SUD70090E,AS3523L,AON1605,SIHFBC30AL,AS0112S,IRFZ44R,SIHFRC20,2N7002W,AO9926C,AO9926B,AOT2618L,AP210N75S,SI4435DDY,AD80N06S,AS2301M,SIHFIB6N60A,AD30P05S,AS2004EU,AT100N15S,AF4N65S,AOD442,AOT1608L,AS3100,AP65N130R,AS3401L,TP0610K,BSS123,SUD50N06-09L,AO4813,SIHFIBC30G,SIHG22N65E,AO7407,AOB286L,AS4421S,AU6N70S,AOTF7N65,AOSS32136C,AOTF7N60,AS3400FL,AD12P06S,AS4606BS,IRFIBC30G,AT160N08S,AS03N10M,AOB2910L,AS55P05S,BSS138,SI2328DS,AS04N15,AG70N10S,SI2366DS,IRFBC30A,SIHFBC30A,AOT10N65,AON6242,AON6484,AT120N04S,AS4435S,SI4162DY,AG180N10S,SIR186DP,AD40N10S,AOT284L,AW6N10S,SUD19N20-90,SIS406DN,AG160B08S,SI4401FDY,AOT410L,SI4825DDY,AT57N10S,SIHFIBC40G,AF12N65S,AOB284L,IRFIBC40G,SISH402DN,AOD254,AD2N60S,AS6409M,SI4174DY,AF8N60S,AS1003S,AF5N65S,AO4294A,SI2318CDS,AD30N10S,AS70P20S,AT130N10S,SIHG33N65E,AO4803,AS2102W,AS64N03S,AG57N10S,SIHFB9N65A,AS3434E,AS3019ET,AS30P50S,AOD2N60,AO4485,AS18N10S,IRFB9N65A,AT50N06S,SUD23N06-31,AS35N10S,AS8205M
安邦MOS选型表
安邦低阻抗、大电流MOS,电压覆盖到20V至200V,N/P沟道可选，最大工作结温150℃
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产品型号
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品类
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Package
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Polarity
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VDS(V)
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VGS(V)
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VGS(th)_Max(V)
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ID(A)
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RDS(on)_Max(mΩ)4.5V
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RDS(on)_Max(mΩ)2.5V
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RDS(on)_Max(mΩ)1.8V
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AS2002E
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MOSFET
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SOT-23
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N
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20V
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±12V
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1V
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0.75A
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380mΩ
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450mΩ
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800mΩ
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选型表 - 安邦 立即选型
AS3404B-Q1 N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了AS3404B-Q1型号的N-Channel Enhancement Mode MOSFET。该器件采用Trench Power LV MOSFET技术，具有低RDS(on)和高密度细胞设计，适用于高速开关应用。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、动态特性、源-漏二极管特性以及SOT-23封装信息。
型号- AS3404B-Q1
AS3622S-Q1 N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了AS3622S-Q1型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件采用超低导通电阻Trench Power LV MOSFET技术，适用于高电流负载应用，如开关电源和高频电路。
型号- AS3622S-Q1
安邦场效应管选型表
车规级别的场效应管，四种类别场效应管，分别是互补式，双通道，N沟道，P沟道，适用于超小型便携式电池管理，电子产品，负载切换，电源切换，接口切换，逻辑电平转换等。
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产品型号
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品类
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Package
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AEC-Q101 Qualified
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Channel Type
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ESD
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VDS_Max (V)
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ID_Max (A)
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VGS_Max (V)
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VGS(th)_Max (V)
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RDS(ON)_Max @ VGS = 4.5V (mΩ)
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RDS(ON)_Max @ VGS = 2.5V (mΩ)
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RDS(ON)_Max @ VGS = 1.8V (mΩ)
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Ciss_Typ (pF)
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Tj (℃)
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AS2002ET-Q1
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场效应管
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SOT-523
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AEC-Q101 Qualified
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N
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ESD
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20V
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0.75A
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±12V
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1V
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380mΩ
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450mΩ
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800mΩ
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79pF
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150℃
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选型表 - 安邦 立即选型
AS3404B N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了AS3404B型N通道增强型MOSFET的产品特性，包括其电气特性、静态特性、动态特性、源漏二极管特性等，并提供了典型特性曲线和SOT-23封装信息。
型号- AS3404B
安邦LV MOSFET选型表
安邦LV MOSFET选型，技术参数范围：Vdss（耐受的最大电压）：-60V~100V，Id（能通过的电流）：-30A~100A，Rds（导通电阻）：3.5mΩ~18000mΩ
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产品型号
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品类
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Package
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Polarity
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VDS (V)
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VGS (V)
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VGS(th)_Max (V)
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ID (A)
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RDS(on)_Max (mΩ) 4.5V
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RDS(on)_Max (mΩ) 2.5V
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RDS(on)_Max (mΩ) 1.8V
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AS2002E
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LV MOSFET
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SOT-23
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N
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20
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±12
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1
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0.75
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380
|
450
|
800
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选型表 - 安邦 立即选型
AS3523BL P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了AS3523BL型P-Channel增强模式MOSFET的特性。它是一种采用沟槽功率LV MOSFET技术的器件，具有低导通电阻和高速度开关的特点。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、动态特性以及典型特性等信息。
型号- AS3523BL
AE55ND03S N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了AE55ND03S型N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的产品特性、电气特性、封装信息等。该MOSFET具有低导通电阻、高断态电压、低栅极电荷等特点，适用于功率开关应用，如硬切换和高频电路。
型号- AE55ND03S
AS4375 P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料介绍了AS4375型P-Channel增强模式MOSFET的产品概要。内容包括了其绝对最大额定值、电气特性、动态特性以及SOT-23封装尺寸信息。
型号- AS4375
AG82P06S P沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了AG82P06S型P-Channel增强型功率MOSFET的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热散性，适用于负载开关等应用。
型号- AG82P06S
AS8205TS N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了AS8205TS型N-Channel Enhancement Mode MOSFET的产品特性、电气特性、典型特性、封装信息等。资料涵盖了该MOSFET的绝对最大额定值、静态特性、动态特性、源漏二极管特性等关键参数。
型号- AS8205TS
AS35P10S P沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了AS35P10S型P-Channel Super Trench Power MOSFET的特性。它是一种高压、低导通电阻的功率MOSFET，适用于高频开关和同步整流电路。资料提供了产品的绝对最大额定值、电气特性、动态特性以及典型特性曲线，并包含了DFN5X6-8L封装尺寸信息。
型号- AS35P10S
AS5P10ES P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了AS5P10ES型号的P-Channel Enhancement Mode MOSFET（增强型MOSFET）的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。资料涵盖了该产品的最大额定值、静态和动态电气特性、典型特性以及SOP-8封装的尺寸信息。
型号- AS5P10ES
AS53N06S-Q1 N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了AS53N06S-Q1型号的N-Channel Super Trench Power MOSFET。它是一种高压、低导通电阻的MOSFET，适用于工业和电机驱动应用。资料提供了产品的绝对最大额定值、电气特性、典型特性和DFN5x6-8L封装信息。
型号- AS53N06S-Q1
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数，每段亮度0.8~30mcd，主波长470~640nm，电压2~10.2V。
最小起订量： 1000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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