【产品】采用SOT23塑封封装的P道MOS场效应管AP3407，漏源电压为-30V，适用于作负载开关

时间： 2022-04-16 来源：铨力半导体

技术问答

铨力半导体推出的AP3407是一款采用SOT23塑封封装的P道MOS场效应管。该P通道功率MOSFET的漏源电压为-30V，漏极电流（持续）为-4.1A，适用于作负载开关应用或脉宽调制应用。

●特征
V_DS=-30V
l_D=-4.1A
R_DS(ON)<60mΩ(V_GS=-10V)
R_DS(ON)<87mΩ(V_GS=-4.5V)

●用途

适用于作负载开关或脉宽调制应用

●内部等效电路

●引脚排列

●极限参数(Ta=25℃)

●电性能参数(Ta=25℃)

●外形尺寸图(单位：mm)

●耐焊接热试验条件

温度:260±5℃

时间:10±1sec.

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本文由放弃是坚强的第一课转载自铨力半导体，原文标题为:AP3407 P沟道MOS场效应管(AP3407 P-Channel Power MOSFET)，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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