【产品】采用SOT23塑封封装的P道MOS场效应管AP3407，漏源电压为-30V，适用于作负载开关
铨力半导体推出的AP3407是一款采用SOT23塑封封装的P道MOS场效应管。该P通道功率MOSFET的漏源电压为-30V，漏极电流（持续）为-4.1A，适用于作负载开关应用或脉宽调制应用。
●特征
VDS=-30V
lD=-4.1A
RDS(ON)<60mΩ(VGS=-10V)
RDS(ON)<87mΩ(VGS=-4.5V)
●用途
适用于作负载开关或脉宽调制应用
●内部等效电路
●引脚排列
●极限参数(Ta=25℃)
●电性能参数(Ta=25℃)
●外形尺寸图(单位：mm)
●耐焊接热试验条件
温度:260±5℃
时间:10±1sec.
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|
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
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型号- ZMA930P06T
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