【产品】漏源电压最大额定值为40V的N沟道功率MOSFET NCEAP40T14AK，最高工作温度175℃
NCE推出一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET——NCEAP40T14AK，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用TO-252-2L封装，得益于RDS(ON)和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
漏源电压VDS=40V，连续漏极电流ID=190A（硅限制）
漏源导通电阻RDS(ON)=1.95mΩ（典型值）@VGS=10V
优异的FOM产品：Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
AEC-Q101合格
应用
汽车应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.由设计保证，不受生产测试限制
2.EAS条件：Tj=25℃,VDD=20V，VG=10V，L=0.5mH，Rg=25Ω
封装标识及订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky翻译自NCE官网，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-05-26
【产品】PDFN3x3-8L封装的N沟道功率MOSFET JMSL0612AUQ，连续漏极电流高达38A
捷捷微电推出一款采用PDFN3x3-8L封装的N沟道功率MOSFET——JMSL0612AUQ，漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值高达38A，具有低导通电阻、低栅极电荷特性和高电流处理能力，适用于汽车应用。
产品 发布时间 : 2022-05-02
【产品】40V/125A的N沟道功率MOSFET NCEAP4090AGU，漏源导通电阻低，采用PDFN5X6-8L封装
NCEAP4090AGU是NCE推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用PDFN5X6-8L封装，得益于RDS(ON)和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-04-18
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-15
【选型】推荐车规级N沟道超级沟槽II功率MOSFET NCEAP023N10LL用在DC-DC项目中的同步整流部分
NCE推出的低压大电流场效应管NCEAP023N10LL具有漏极电流大，导通内阻低的特点，本文就从NCEAP023N10LL性能参数以及封装尺寸方面进行分析，讨论其作为功率开关管用于DC-DC项目中的优势。
器件选型 发布时间 : 2023-06-09
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
新产品 发布时间 : 2022-04-09
【产品】基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP85T10G，采用DFN5X6-8L封装，具有高效高频开关性能
NCEP85T10G是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用DFN5X6-8L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-05-23
【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，无铅，TO-263-2L封装，可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
产品 发布时间 : 2023-05-07
【产品】集成驱动器的N沟道功率MOSFET XTR20410系列，支持工作温度范围远超于-60℃~+230℃
EASII IC推出的一系列极为灵活的N沟道功率MOSFET XTR20410，器件集成驱动器，专为DC/DC转换器，电机控制和电源切换应用等具有极端可靠性和高温要求的应用而设计。器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本并易于采用。器件支持可靠的SMD及通孔外壳封装，也可提供裸片。
产品 发布时间 : 2023-05-19
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论