英诺赛科持续推出高压和低压GaN功率器件，氮化镓场效应管等产品高频高效助力绿色能源革命
2022年，在全球“双碳”战略的推动下，第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒，基于其高频、高效、低能耗的优势，终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。
英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业，一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破，于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品，在各个终端应用场景都有着出色的市场表现。
Low Voltage
得益于GaN器件的高频、高效、低能耗等特性，英诺赛科于30V~150V的低压领域产品在2022年的电子消费、数据中心市场中有着瞩目的增长点。
INN150LA070A是一款耐压150V，导通电阻7mΩ的高电子迁移率晶体管。采用了LGA3.2x2.2mm封装技术，占板面积极小，有着零反向恢复、低栅极电荷、低导通电阻等特性，能适应-40℃~150℃的工作环镜。
基于其高频、低能耗的性能优势，可广泛应用于可广泛应用于快充、适配器、Class D 功放，电机驱动，通信模块电源。同时，得益于该产品优秀的功率性能，已荣获2022年中国IC设计成就奖--年度最佳功率器件/宽禁带器件荣誉。
面向同步整流、Class D功放、高频DC-DC模块电源、通信基站及电机驱动等应用场景，英诺赛科于2022年推出了INN100W032A这一款耐压100V，导通电阻3.2mΩ的增强型高电子迁移率晶体管，可以有效地提高工作频率和效率。
INN100W032A采用 GaN‑on‑Silicon E‑mode HEMT技术，有着极低的栅极电荷和超低导通电阻，连续电流60A，脉冲电流可达230A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用FCSP 3.5mmx2.13mm极小封装，大大节省占板面积。今年11月，该产品荣获全球电子成就奖-年度功率半导体荣誉。
INN040W048A是一款耐压40V，导通电阻4.8mΩ的双向增强型高电子迁移率晶体管。其双向导通及零反向恢复、低导通电阻的特性，为其提供了以1个GaN替换两个Si MOS的能力，同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装，为终端产品节省系统空间的同时，有效降低了系统能耗。
INN040W048A是全球首款导入手机内部的GaN芯片，目前已应用于OPPO / Realme 智能手机的电池管理系统，实现快充的高效护航。目前，该产品已荣获第“十五届中国半导体创新产品和技术”及“第十七届中国芯优秀技术创新产品”荣誉。
作为快充市场的重要组成部分，DC-DC电源芯片在众多领域都发挥着不可或缺的作用，比如氮化镓多口快充、车充、充电宝、户外电源、电动工具等。英诺赛科面向DC-DC等应用场景推出了增强型氮化镓场效应管 INN040LA015A，实现更高的功率密度。
INN040LA015A耐压40V，导阻1.5mΩ，可在-40℃到150℃下工作。采用晶圆级FCLGA
5mmx4mm封装，相比传统封装MOS管体积大大缩小，同时其优化的走线更加方便高频大电流布线，拥有超低的寄生电容，且无反向恢复。
High Voltage
为满足快充、适配器、LED驱动、TV电源、服务器电源等高功率密度、高效率的电源应用场景需求，英诺赛科于2022年推出了多个系列的高压领域GaN产品，目前已被广泛采用。
可靠的高频开关器件，是提升电子产品充电性能的关键。INN650DA260A正是英诺赛科研发团队为高频、高效开关量身定做的一款耐压650V的增强型晶体管。DFN5mmx6mm封装技术保证了更小的尺寸，260mΩ的导通电阻有效降低了系统能耗，2nC的栅极电荷保证了高频率的开关需求。
INN650DA260A在快充领域有着尤为出色的表现，协助提升雅迪、ASUS及安克等厂家在终端市场的竞争力。
采用DFN 5mmx6mm封装，符合RoHS及REACH规范的无铅产品INN650DA150A，有着极高的开关频率，极低的栅极电荷、输出电荷，保证了高频开关需求的同时，有效降低了系统能耗以及开关能耗。
今年，有不少客户已在项目中采用了这款产品，如韩国LG集团的65W Notebook Adapter，便是终端代表产品之一。
INN650D260A是一颗耐压650V，导通电阻260mΩ的增强型晶体管，其采用了DFN8mmx8mm的封装技术。
相较于同平台产品INN650DA260A，INN650D260A由于不同的封装技术，可以满足不同尺寸需求的应用领域，例如在中兴主推的手机品牌Axon的标配快充中，就有着良好的用户反馈。
基于上一代产品迭代的INN650D080BS 是内阻仅为80mΩ增强型氮化镓单管，其超低的开关损耗以及零反向恢复的特性，可实现高频、小体积、高功率密度、高效率的电源转换。满足JEDEC的工业级应用标准，且拥有较高的ESD防护等级。
该产品目前在国内工业市场已大批量使用，且多项国际合作项目也在同步进行，如比利时鲁汶大学/EnergieVille 正在用这款产品开发1KW 以上的400V双桥(DAB)转换器;同时，瑞士伯尔尼高等专业学院(BFH)研究所也正在用INN650D080BS开发11KW/850V多电平转换器项目。
第三代半导体依靠其自身的材料属性优势，已经逐渐成为“绿色能源革命”的关键支撑。英诺赛科亦凭借其强大的研发团队，在第三代半导体整体产业生态链的建设中，也起到了至关重要的作用。
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面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值，正在消费电子之外的多个领域持续释放。
行业资讯 发布时间 : 2024-06-27
世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计
基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图，世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料，协助高效高密的PD快充设计。
应用方案 发布时间 : 2020-02-27
亚成微电子专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司介绍
描述- 陕西亚成微电子股份有限公司，成立于2006年，是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,且是注册在西安高新区内的规模以上国家高新技术企业。研发覆盖半导体功率IC和功率器件两大类，主要产品包括包络跟踪射频功率放大器（ET-PA）、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及功率MOSFET等。产品可被广泛应用于无线通信、消费电子、汽车电子以及LED照明等多领域中。
型号- RM9001DD,RM6801X,RM9001DC,RM9001DB,RM9001DA,RM9003B,RM9003A,RM9012GB,RM9010GB,RM9023,RM32XX,RM66040ND,RM34XX,RM6801S,RM9005AG,RM9005AE,RM335X系列,RM9005AC,RM6801X系列,RM9001AF,RM9001AE,MOS-RMX65R系列,RM9001AA,RM9012D,MOS-RMX65R,RM9012B,RM6820系列,RM9035X,RM335X,RM68XX,RM671X,RM343X,RMA65R650SN #2,RMA65R650SN #3,W*65R650 #1,W*65R650 #2,W*65R650 #3,RM6601X,RM9001D,RM6601X系列,RM343X系列,RM9001A,RM33XX,RMA65R650SN #1,RM9006AC,RM9006AB,RM6801SN,RM9010E,RM67XX系列,RM9010B,RM9026B,RM9006F,RM9006A,RM9026A,RM6820,RM65XX,RM63XX,RM67XX
【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%
EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V（连续），驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。
新产品 发布时间 : 2018-03-16
GAN器件的应用场合一般有哪些？
GAN FET是新一代高开关频率的功率器件，其开关频率可达到上MHz。通常可以应用在激光雷达、高功率密度AC-DC、DC-DC电源，如手机充电器、通信电源模块等领域。推荐采用EPC或英诺赛科的GaN FET，可参考链接：Innoscience，EPC
技术问答 发布时间 : 2019-11-01
ROHM starts production of 150V GaN HEMTs: Featuring breakthrough 8V withstand Gate Voltage
型号- GNE1015TB,GNE10XXTB,GNE10XXTB SERIES,GNE1040TB,SERIES GNE10XXTB,GNE1007TB
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制显示屏的尺寸0.96”~15.6”，分辨率80*160~3840*2160，TN/IPS视角，支持RGB、MCU、SPI、MIPI、LVDS、HDMI接口，配套定制玻璃、背光、FPCA/PCBA。
最小起订量： 1000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
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