英诺赛科持续推出高压和低压GaN功率器件,氮化镓场效应管等产品高频高效助力绿色能源革命

2022-12-24 英诺赛科公众号
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2022年,在全球“双碳”战略的推动下,第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒,基于其高频、高效、低能耗的优势,终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。


英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业,一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破,于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品,在各个终端应用场景都有着出色的市场表现。



Low Voltage

得益于GaN器件的高频、高效、低能耗等特性,英诺赛科于30V~150V的低压领域产品在2022年的电子消费、数据中心市场中有着瞩目的增长点。


INN150LA070A

INN150LA070A是一款耐压150V,导通电阻7mΩ的高电子迁移率晶体管。采用了LGA3.2x2.2mm封装技术,占板面积极小,有着零反向恢复、低栅极电荷、低导通电阻等特性,能适应-40℃~150℃的工作环镜。



基于其高频、低能耗的性能优势,可广泛应用于可广泛应用于快充、适配器、Class D 功放,电机驱动,通信模块电源。同时,得益于该产品优秀的功率性能,已荣获2022年中国IC设计成就奖--年度最佳功率器件/宽禁带器件荣誉。


INN100W032A

面向同步整流、Class D功放、高频DC-DC模块电源、通信基站及电机驱动等应用场景,英诺赛科于2022年推出了INN100W032A这一款耐压100V,导通电阻3.2mΩ的增强型高电子迁移率晶体管,可以有效地提高工作频率和效率。



INN100W032A采用 GaN‑on‑Silicon E‑mode HEMT技术,有着极低的栅极电荷和超低导通电阻,连续电流60A,脉冲电流可达230A,能够适应-40℃到150℃工作环境,零反向恢复电荷。采用FCSP 3.5mmx2.13mm极小封装,大大节省占板面积。今年11月,该产品荣获全球电子成就奖-年度功率半导体荣誉。


INN040W048A

INN040W048A是一款耐压40V,导通电阻4.8mΩ的双向增强型高电子迁移率晶体管。其双向导通及零反向恢复、低导通电阻的特性,为其提供了以1个GaN替换两个Si MOS的能力,同时采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封装,为终端产品节省系统空间的同时,有效降低了系统能耗。



INN040W048A是全球首款导入手机内部的GaN芯片,目前已应用于OPPO / Realme 智能手机的电池管理系统,实现快充的高效护航。目前,该产品已荣获第“十五届中国半导体创新产品和技术”及“第十七届中国芯优秀技术创新产品”荣誉。


INN040LA015A

作为快充市场的重要组成部分,DC-DC电源芯片在众多领域都发挥着不可或缺的作用,比如氮化镓多口快充、车充、充电宝、户外电源、电动工具等。英诺赛科面向DC-DC等应用场景推出了增强型氮化镓场效应管 INN040LA015A,实现更高的功率密度。


INN040LA015A耐压40V,导阻1.5mΩ,可在-40℃到150℃下工作。采用晶圆级FCLGA 5mmx4mm封装,相比传统封装MOS管体积大大缩小,同时其优化的走线更加方便高频大电流布线,拥有超低的寄生电容,且无反向恢复。


High Voltage

为满足快充、适配器、LED驱动、TV电源、服务器电源等高功率密度、高效率的电源应用场景需求,英诺赛科于2022年推出了多个系列的高压领域GaN产品,目前已被广泛采用。


INN650DA260A

可靠的高频开关器件,是提升电子产品充电性能的关键。INN650DA260A正是英诺赛科研发团队为高频、高效开关量身定做的一款耐压650V的增强型晶体管。DFN5mmx6mm封装技术保证了更小的尺寸,260mΩ的导通电阻有效降低了系统能耗,2nC的栅极电荷保证了高频率的开关需求。



INN650DA260A在快充领域有着尤为出色的表现,协助提升雅迪、ASUS及安克等厂家在终端市场的竞争力。


INN650DA150A

采用DFN 5mmx6mm封装,符合RoHS及REACH规范的无铅产品INN650DA150A,有着极高的开关频率,极低的栅极电荷、输出电荷,保证了高频开关需求的同时,有效降低了系统能耗以及开关能耗。



今年,有不少客户已在项目中采用了这款产品,如韩国LG集团的65W Notebook Adapter,便是终端代表产品之一。


INN650D260A

INN650D260A是一颗耐压650V,导通电阻260mΩ的增强型晶体管,其采用了DFN8mmx8mm的封装技术。



相较于同平台产品INN650DA260A,INN650D260A由于不同的封装技术,可以满足不同尺寸需求的应用领域,例如在中兴主推的手机品牌Axon的标配快充中,就有着良好的用户反馈。


INN650D080BS

基于上一代产品迭代的INN650D080BS 是内阻仅为80mΩ增强型氮化镓单管,其超低的开关损耗以及零反向恢复的特性,可实现高频、小体积、高功率密度、高效率的电源转换。满足JEDEC的工业级应用标准,且拥有较高的ESD防护等级。



该产品目前在国内工业市场已大批量使用,且多项国际合作项目也在同步进行,如比利时鲁汶大学/EnergieVille 正在用这款产品开发1KW 以上的400V双桥(DAB)转换器;同时,瑞士伯尔尼高等专业学院(BFH)研究所也正在用INN650D080BS开发11KW/850V多电平转换器项目。


第三代半导体依靠其自身的材料属性优势,已经逐渐成为“绿色能源革命”的关键支撑。英诺赛科亦凭借其强大的研发团队,在第三代半导体整体产业生态链的建设中,也起到了至关重要的作用。


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商品及供应商介绍  -  亚成微电子  - 2022/1/13 PDF 中文 下载

当前世界GaN的应用发展情况介绍

面对GaN在消费电子领域应用现状,相关企业开始寻求新的增量市场,GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值,正在消费电子之外的多个领域持续释放。

行业资讯    发布时间 : 2024-06-27

GAN器件的应用场合一般有哪些?

GAN FET是新一代高开关频率的功率器件,其开关频率可达到上MHz。通常可以应用在激光雷达、高功率密度AC-DC、DC-DC电源,如手机充电器、通信电源模块等领域。推荐采用EPC或英诺赛科的GaN FET,可参考链接:Innoscience,EPC

技术问答    发布时间 : 2019-11-01

【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管,能量效率最高可达90%

EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V(连续),驱动电压范围-4V~6V,工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点(POL)转换器等方面。

新产品    发布时间 : 2018-03-16

【产品】100V/40A的N沟道增强型场效应晶体管YJD40G10A,封装为TO-252

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD40G10A,采用TO-252的封装设计,漏源电压为100V,漏极电流为40A(Tc=25℃),具有低RDS(on)和FOM、极低的开关损耗和优异的稳定性、均匀性,适用于消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离式DC / DC转换器、逆变器等。

新产品    发布时间 : 2020-04-14

【产品】逻辑电平兼容性强的8V低门阀电压P沟道增强型场效应管

Central 推出的SOT-23封装表贴P沟道增强型场效应管CMPDM8120(改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管),是面向高速脉冲放大器和驱动器而设计的,它最大的优势是提供低导通电阻和低门阀电压,它的门阀电压只有8V,在P沟道MOS晶体管中属于阈值较低的,能兼容多数的逻辑电平,非常适合工业电子、通信设备和消费电子使用。

新产品    发布时间 : 2018-06-15

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品牌:芯佰特

品类:UWB LNA

价格:¥2.1953

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品牌:ROHM

品类:Power Stage IC

价格:¥37.9001

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品牌:ROHM

品类:Power Stage IC

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品类:Power Packaged Transistor

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品牌:时代速信

品类:Power GaN HEMT

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品牌:誉鸿锦

品类:Cascode GaN HEMT

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品类:16W Power Transistor

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品牌:UMS

品类:氮化镓高电子迁移率晶体管

价格:¥4,580.2670

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品类:氮化镓高电子迁移率晶体管

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥5.9700

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品牌:英诺赛科

品类:transistor

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品牌:英诺赛科

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

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品牌:英诺赛科

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品类:E-Mode GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

TFT LCD液晶显示屏/模组定制

可定制显示屏的尺寸0.96”~15.6”,分辨率80*160~3840*2160,TN/IPS视角,支持RGB、MCU、SPI、MIPI、LVDS、HDMI接口,配套定制玻璃、背光、FPCA/PCBA。

最小起订量: 1000 提交需求>

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授权代理品牌:接插件及结构件

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