【应用】业界最低导通电阻SiC FET UF3SC系列助力大功率DCDC变换器高效运行
随着市场对DCDC变换器功率要求的不断提升，需求功率器件的功率密度也越来越高，传统的并联模式缺点较多，针对这一需求，UnitedSiC推出业界最低导通电阻SiC FET器件。
由于DCDC变换器主要应用于车载DCDC、快速充电、光伏PV等效率要求高的产品上，因此对于功率器件的选型要求最重要的一点就是追求低导通电阻。其优势首先体现在可以降低器件的导通损耗，尤其是在中低频应用中优势更明显，因为导通损耗是其主要的功率损耗；其次较低的导通电阻，可以减少大功率DCDC变换器上分立器件的并联数量，一方面降低产品因并联数量过多导致的故障风险，另一方面简化的PCB的布局，让产品的功率密度越来越高。因此可以看出选择低导通电阻的功率器件，在大功率DCDC变化器产品上的优势明显。
UnitedSiC针对这一用推出业界最低导通电阻UF3SC系列的SiC FET产品，其产品系列如图1所示，UF3SC系列主要包括一款650V产品和三款1200V产品：
图1 UnitedSIC低导通电阻UF3SC系列的SIC FET产品系列图
UF3SC系列在大功率DCDC变换器应用优势：
1、其导通电阻业界最低：其中650V的SiC FET器件最低导通电阻可以做到7mΩ左右（25℃），1200V的最低导通电阻可以做到9mΩ左右（25℃），可以大大降低器件的导通损耗，提高产品效率；
2、大功率DCDC变换器产品分立器件方案的最佳选择，由于导通电阻低，同等大功率前提下，分立器件并联数量可以做到最少，便于产品PCB布局，实现产品的高功率密度化；
3、SiC FET驱动电压为±25V，驱动电路直接兼容传统Si MOS驱动，无需更改，同时封装上也覆盖了目前市场主流封装，包括TO-247-3L/4L，可以直接替代上一代的SI MOS产品，应用方便灵活；
4、SiC FET集成门极ESD防护，HBM达到等级2标准，批量使用可靠性高；
综上所示，UnitedSiC低导通电阻UF3SC系列的SiC FET凭借着其业界最低导通电阻的优势，以及电路P2P的可替代性，可以在大功率DCDC产品上广泛使用，有兴趣的朋友可以在世强电商平台检索相关资料，申请样品测试。
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UF3SC120009K4S、UF3SC120016K3S、UF3SC120016K4S是UnitedSic公司推出的三款碳化硅场效应晶体管。这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开SiC JFET与Si MOSFET共封装，制造出常关SiC FET器件。 该器件的标准栅极驱动特性允许对Si IGBTs、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件进行真正的“替代”。
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