【产品】采用SOT-23表贴封装的MOSFET RC1012E，用于负载/电源开关、逻辑电平转换等领域
正芯科技推出的塑料封装MOSFET RC1012E，产品无铅，采用SOT-23表贴封装，低Rds(on)的N沟道开关，工作在低逻辑电平栅极驱动，可应用于负载/电源开关，接口开关以及逻辑电平转换等应用。
特点
无铅产品
表贴封装
低Rds(on)的N沟道开关
工作在低逻辑电平栅极驱动
应用
负载开关/电源开关
接口开关
超小型便携式电子产品的电池管理
逻辑电平转换
标识和等效电路
最大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）
MOSFET电气特性
Ta=25℃，除非另有说明
Notes：
1.表面安装在FR4板上，使用建议的最小焊盘尺寸。
2.脉冲测试：脉冲宽度=300µs，占空比=2%。
3.开关特性与工作结温度无关。
4.由设计保证，不受生产限制。
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正芯MOSFET选型表
正芯提供以下技术参数的MOSFET选型，包含：N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、N+P沟道MOSFET。Vdss（耐受的最大电压）：-100V~650V，Id（能通过的电流）：-100A~165A，Pd（承受最大功率）：0.01W~195W，Rds（导通电阻）：0.65mΩ~1350mΩ等
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产品型号
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品类
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Polarity
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V(BR)DSS(V)
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Id(A)
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Pd(W)
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VGS(V)
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IDM(A)
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Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
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Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
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RC2312
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MOSFET
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N
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20V
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7A
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0.35W
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±8.0V
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20A
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15mΩ
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25mΩ
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选型表 - 正芯 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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