【选型】STPSC12H065与ROHM的SCS312AHG SIC二极管参数对比，反向漏电流极小

时间： 2019-03-01 来源：世强

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规格为650V/12A的碳化硅肖特基二极管，主要应用电源回路的BOOST（图1）架构的电路。采用碳化硅肖特基二极管主要是基于高频开关应用特性和极快的反向恢复时间，减低二极管的恢复损耗。

图1：BOOST电路图

基于市场需求的变化和SIC二极管产品的交期加长等因数变化，推荐ROHM的SCS312AHG（图2）。

图2：SCS312AHG的封装和规格信息

器件主要参数：

参数对比：

标称650V/12A的SIC 肖特基二极管，在导通压降VF上，ROHM的SCS312AHG比STPSC12H065均要低。例如VF@12A（150℃）typ条件下， SCS312AHG（1.44V）比STPSC12H065（1.98V）低0.54V，满电流相当于减少了12A*0.54V=6.48W的损耗。

反向漏电流越大，在高压下的反向损耗就越高。SCS312AHG的IR值要远远低于STPSC12H065的，在反向高压下，SCS312AHG的反向损耗更低。

SCS312AHG和STPSC12H065的IFSM、结电容C和Tj参数基本一致。

综上，ROHM的SCS312AHG导通压降低，反向漏电流也极小。

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慧慧1985 Lv7. 资深专家 2019-03-01

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