【产品】第二代SDRAM 1GB容量助力解决高速存储

时间： 2016-10-28 来源：世强

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——采用交叉存取方式，比标准DRAM速度更快

ALLIANCE Memory推出了一款第二代高速CMOS双倍数据率同步动态随机存储器（DDR2 SDRAM），型号为AS4C128M8D2-25BIN。AS4C128M8D2-25BIN的存储容量为1Gb（128M x8bit），该芯片分为8个Bank，其中每个Bank的位宽为8bit，共有16M个存储单元，单个Bank容量达128Mb；此外，该器件采用完全同步操作，并且符合JEDEC时钟抖动规范，能够确保数据传输的稳定性。

AS4C128M8D2-25BIN具有完整的同步动态随机存取存储器功能，所有的控制信号、地址信号、数据信号都参考时钟信号的上升沿。以交叉存取方式操作八个存储器组，且允许随机存取操作发生，相比标准的DRAM，该芯片的速度可能更快；AS4C128M8D2-25BIN的顺序无缝数据速率在很大程度上取决于设备的突发长度、CAS延迟和速度等级。

AS4C128M8D2-25BIN采用60锡球的FBGA封装，封装尺寸仅为8mm x 10mm x 1.2mm；该存储器符合JEDEC标准要求，在商业环境下的工作温度范围为0°C~+85℃，在工业环境下的工作温度范围为-40~+95℃。AS4C128M8D2-25BIN的大容量小尺寸特性，加上宽温度范围，使得其能够广泛应用于众多领域。

同步动态随机存储器AS4C128M8D2-25BIN的基本特性：
• 电源电压：+1.8V±0.1V
• 存储容量：1Gb（128M x8bit）
• 符合JEDEC时钟抖动要求
• 完全同步操作
• 内部流水线架构
• 快速时钟频率：400MHz
• 差分时钟，CK和CK#
• 4bit预读取结构
• 支持自动刷新和自我更新
• 突发长度：4或8
• 突发类型：顺序/交错
• 支持动态ODT
• 无铅和卤素，符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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全部评论（4）

Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2018-01-10

学习学习
太平洋光电 Lv3. 高级工程师 2017-12-28

这个东西很不错
用户18396822 Lv8 2017-12-26

学习了
山里人 Lv4. 资深工程师 2017-11-05

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