无噱头！工作模式下功耗低至46uA/Mhz的16位MCU
——停止模式下功耗仅0.56uA，还可保存RAM数据
RL78/G10系列MCU是RENESAS公司推出的一款真正的低功耗微控制器，其使用CISC指令集，采用具有三级流水线的哈弗结构内核，RAM最大空间为512字节，Flash最大空间为4KB，最高运行频率可达20MHz，其中78%的指令执行过程仅需1~2个周期，并且内部集成的8x8乘法器完成一次运算仅需要2个时钟周期，出色的运算能力确保该款MCU可以完美胜任简单的数据处理任务。RL78/G10系列MCU最大的优点在于低功耗，在运行状态下，功耗低至46uA/MHz；而在停止模式下，功耗更是低至0.56uA，并且还可以保存RAM中的数据，从而可以使MCU在被唤醒之后迅速进入正常运行状态。该款MCU的工作电压范围为2.0V~5.5V，可以直接使用常用的+5V电源进行供电，不仅减少了稳压器的使用，降低了成本，同时可以避免由于使用线性稳压器导致的功率损耗，降低了系统的整体功耗。
RL78/G10虽然一般只用于完成简单的控制任务，但其内部仍然集成了丰富的资源。该系列MCU内部集成了1路可支持七个通道且分辨率达10bit的A/DC，转换时间最快仅需3.4us。在使用了传感器的设计中，可直接使用内部集成的A/DC完成数据采样，节省系统设计成本。并且RL78/G10内部还集成多种常用通信接口，包括1路I2C master、1路I2C multi-master、1路UART、2路CSI/SPI。为了提升MCU运行的安全性，该系列MCU具有非法指令集监测和看门狗定时器功能。RL78/G10工作温度范围为-40℃~+85℃，可满足工业级和商业级应用的需求，同时可供10pin和16pin两种封装供用户选择，十分适合应用于各类小型消费类电子产品设计。
RL78/G10的特点：
• CISC指令集，哈弗结构，三级流水线
• 最高运行频率20MHz
• 工作电压范围2.0V~5.5V
• RAM最大空间512字节
• Flash最大空间4KB
• 运行状态功耗46uA/MHz，停止模式下功耗0.56uA（RAM数据保留）
• 集成分辨率为10bit的ADC，最快转换时间仅3.4us
• 集成I2C master（x1）、I2C multi-master（x1）、UART（x1）、CSI/SPI（x2）
• 工作温度范围-40℃~+85℃
• 两种封装可选：SSOP（16pin）或LSSOP（10pin）
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yuyu Lv8. 研究员 2018-08-24学习 -
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Clarence Lv8. 研究员 2017-11-28遥控器很适合 -
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用户24904261 Lv4 2017-11-14数据不错的，还需要熟悉开发链路，还有相关知识。有样片和开发板就好了。 -
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NASA911 Lv8. 研究员 2017-10-21学习学习
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产品型号
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品类
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Program Memory (KB)
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RAM (KB)
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Lead Count (#)
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Temperature Range
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Bit Size
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CPU
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Data Flash (KB)
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Supply Voltage (V)
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Operating Freq (Max) (MHz)
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I/O Ports
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Timer
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ADC
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R5F10Y14DSP#30
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Microcontrollers
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1
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0.125
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10
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-40 to 85°C
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8
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RL78
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0
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2 - 5.5
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20
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8
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16-bit x 2-ch
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10-bit x 4-ch
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选型表 - RENESAS 立即选型
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瑞萨MCU RL78的flash操作中EEL、FDL、FSL各个库之间的区别是什么？
EEL为EEPROM仿真库，用户可使用此库来访问数据内存区，该方法类似于访问外部EEPROM，使用此库时，不用管理对数据区闪存写和擦除操作，其占用flash容量大，需配合FDL库来操作；FDL为数据存储区仿真库，可通过此库操作数据区，需要人为定义地址和数据长度，占用flash空间较EEL略少，但占用RAM大； FSL为程序存储区存储区仿真库，客户可使用此库访问程序存储区，一般用于程序自升级操作。
RL78系列MCU中的LVD（低电压检测功能）有哪几种工作模式？
低电压检测电路和POR电路很相似，也是监视MCU工作电压的电路。只是LVD是把工作电压和一个用户设定的检测电压相比较，然后根据比较的结果，决定是产生一个内部复位信号，还是产生一个内部中断信号。LVD有一个优点，就是允许用用户设置选项字节，检测电压的值，可以选择的值有14种。RL78系列MCU的LVD有3种工作模式：1）中断和复位模式。当工作电压VDD小于电压阈值时，先产生一个中断，然后，再进入内部复位。当VDD大于或等于电压阈值时，解除内部复位。2）复位模式。当VDD小于电压阈值时，产生内部复位。当VDD大于阈值时，解除内部复位。3）中断模式。在VDD下降期间，如果VDD小于电压阈值，就产生一个内部中断。此外，在VDD上升期间，也产生一个内部中断。
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