新型IGBT智能门极驱动的好帮手

【应用】如何正确使用IGBT驱动解决米勒电容导致寄生导通问题

本文以Silicon Labs门极智能驱动Si8285为例，介绍如何正确使用IGBT门极智能驱动解决米勒电容导致的寄生导通问题以提高产品可靠性。

【应用】为智能家居提供完善保护的数字隔离器方案

有了隔离解决方案在系统的高压和低压端提供了完善的保护，才能有效提升电力系统的性能、灵活性和可靠性。

【应用】驱动比光耦强3倍的5KV隔离器助力HEV实现油耗节省

Silicon Labs提供的Si826x门极驱动具有超高性能和稳定性的优势，提供了MCU与功率开关的绝缘隔离，同时还具备开关共模噪声电压抑制能力，主要应用在油电混合动力车中的双向逆变驱动中。

【经验】如何正确测试IGBT门极驱动波形？

本文以vincotech E3半桥IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）和PI隔离驱动（SID1182K）为例，介绍在实际的IGBT驱动电路中如何正确测试门极驱动波形。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【选型】国产隔离驱动NSI6611ASC-Q1SWR助力汽车SIC逆变器，驱动电流能力高达10A

车载主逆变器负责新能源汽车主电机控制系统，是汽车中的一个关键模块，主要负责车辆的驾驶行为和行驶效率。本文跟据某项目实际情况介绍一款纳芯微电子的隔离驱动NSI6611ASC-Q1SWR，最大驱动电流能力10A，隔离电压高达5.7kVrms。

【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块，采用英飞凌第四代IGBT芯片技术

flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能，采用低电感flow 2封装的功率模块。

【应用】低成本SI8621光耦驱动芯片实现IGBT上下桥驱动互锁的一种方法

目前的一些工业逆变电源设计上可能会用到IGBT上下桥互锁的方式，由于目前光耦价格不是很便宜，而产品会有成本压力，这种实现互锁的方法可以通过Silicon Labs推出的SI8621驱动芯片相对低成本方案来实现。

【应用】国产隔离驱动芯片可替换1ED3830MC12M助力IGBT驱动控制，共模瞬态抑制高于50kV/µs

IGBT和碳化硅智能驱动模块等，可应用于新能源发电、轨道交通、汽车电子、智能制造等各行业领域，其中离不开大功率IGBT、Si和SiC MOSFET的快速开关驱动和保护等电路设计及方案。本文将通过介绍IGBT驱动模块来阐述隔离驱动HSA6880-S在IGBT驱动控制中的应用与设计。

【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的？

本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。

新一代IPM、隔离驱动、光耦与新型Flow S3封装IGBT模块等产品，集体亮相功率器件专场

3月26日上午，Silicon Labs、罗姆、瑞萨、力特等14家国内外品牌齐聚世强硬创新产品研讨会功率器件专场，发布全新隔离驱动、光耦、功率电感、MOSFET、IGBT模块等产品。超过1000名实名认证工程师参会并与原厂、世强的技术专家实时讨论新技术。会上，罗姆带来了业界唯一带报错模式鉴别功能的新一代IPM，该产品系列覆盖10A-30A；Silicon Labs推出了隔离驱动器SI823HX，最

【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块

IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理，关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）和PI隔离驱动芯片（SID1182K）为例，验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。