新型IGBT智能门极驱动的好帮手
在现代电力电子电路中,IGBT以其驱动方便、高耐压、低导通电阻、高工作频率而得到广泛应用。IGBT 的应用依靠实际的驱动电路条件和开关环境,性能优良的驱动和保护电路是保证IGBT高效、可靠运行的必要条件。
目前常用的隔离方式主要有三种:光耦隔离、磁耦隔离和容耦隔离。其中光耦隔离存在光衰、传输延迟时间长等缺点;磁耦隔离存在抗EMC干扰性能差的问题。容耦隔离传输介质为SiO2,以电容形式传输高速数字信号,其稳定性强、寿命长且传输速率很快,最高可达150Mbps。图1所示为容耦隔离内部原理框图。
图1:容耦隔离内部原理框图
SILICON LABS公司智能门极驱动Si8286,输出电流高达4A,可以直接驱动300A IGBT,且内部集成Vce电压检测保护、欠压保护和故障反馈功能,增强IGBT的工作稳定性和可靠性。图2为Si8286隔离驱动原理框图:
图2:Si8286隔离驱动原理框图
Si8286隔离驱动还内置IGBT检测及保护功能,可以简化IGBT门极的外围驱动电路和保护电路,使驱动电路设计起来更加方便、安全可靠。当驱动电源电压低于12.3V时,Si8286中UVLO保护和DESAT保护同时激活,使输出一直保持在低电位,封锁IGBT,以免在过低的栅-射电压下IGBT导通烧毁。当驱动电源电压超过12.3V时,退出保护。当IGBT 在导通时发生过流,由于IGBT 的固有特性,Vce急剧升高,快恢复二极管检测Vce的值,如果超过设定的Vce保护电压,则DESAT端输入电压大于7 V,退饱和保护电路开始工作,Si8286锁定低电平输出,关断IGBT,同时FAULT端输出低电平,通过集电极开路三极管外接上拉电阻输出报错信号。
图3:Si8286隔离驱动Vce DESAT检测保护电路
图3所示是Si8286隔离驱动Vce DESAT检测保护电路,Vce保护电压可以通过改变DESAT端快恢复二极管个数来实现。由Vdesat = n*Vdiode + Vce ( n 为二极管的个数)可知,通过增加或减少二极管的个数,可改变Vce的值。
IGBT对驱动电路有一些特殊要求,驱动电路性能的优劣是其可靠工作、正常运行的关键所在,高性能驱动电路的开发和设计是其应用的难点。采用智能门极驱动Si8286为核心的IGBT驱动电路,可以实现优越的工作性能,弥补常用IGBT驱动模块的不足。
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korey Lv7. 资深专家 2019-05-22学习
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用户63147486 Lv4. 资深工程师 2018-08-28收藏了不错
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terrydl Lv9. 科学家 2017-11-21收藏
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